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半导体器件、功率半导体器件及加工半导体器件的方法

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摘要

本发明涉及一种半导体器件。根据各个实施例，一种半导体器件可包括形成在半导体器件的表面处的层堆叠，层堆叠包括具有第一金属或金属合金的金属化层以及覆盖金属化层的保护层，保护层包括第二金属或金属合金，其中第二金属或金属合金比第一金属或金属合金的贵金属性更低。

1. 功率半导体器件、具有该功率半导体器件的旋转电机以及制造功率半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN110277882A . 2019-09-24
2. 半导体器件、功率半导体器件及加工半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN105655313A . 2016-06-08
3. Power semiconductor device, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device [P] . 德国专利： DE102017107763A1 . 2018-10-11

机译：功率半导体器件，功率半导体器件以及用于制造功率半导体器件的方法
4. Power semiconductor device, an electronic power module and method for machining of a power semiconductor device [P] . 德国专利： DE102015103709A1 . 2015-09-17

机译：功率半导体器件，电子功率模块和用于功率半导体器件的加工方法
5. SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, MOUNTING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JP2017055146A . 2017-03-16

机译：半导体器件，半导体器件的制造方法，半导体器件的安装结构以及功率半导体器件