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非易失性铁电畴壁存储器原型开发成功

         

摘要

由来自澳大利亚、美国和中国的研究人员组成的国际研究团队成功开发出了非易失性铁电畴壁存储器的功能性原型。铁电畴壁是含有相同极化区隔离缺陷的一种拓扑结构,具有独特的导电特性,通过畴壁的引入或去除能够生成可读写的二元状态,从而实现信息存储,且存储的信息能够以无损的方式被读取。

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