非易失性铁电存储器芯片FM1808原理及其应用

机译：等离子体增强原子层沉积的HfO_2缓冲层对用于非易失性存储应用的金属/铁电/绝缘体/半导体栅堆叠的结构，电和铁电性能的影响

机译：聚[偏二氟乙烯三氟乙烯]作为铁电层用于有机非易失性存储应用的金属/铁电/绝缘体/半导体结构的电学研究

机译：非易失性铁电应用的铁电PB（ZR，TI）O_3电容器

机译：类似于反铁电的ZrO 2 非易失性存储器：导致最新DRAM中的非易失性

机译：用于固态非易失性随机存取存储器应用的铁电聚合物薄膜。

机译：用于负电容器件和非易失性存储器应用的纳米晶体嵌入式绝缘体（NEI）铁电FET

机译：用于负电容装置的纳米晶嵌入式绝缘体（NEI）铁电FET和非易失性存储器应用

机译：NiFe / pLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关（后印刷）。

机译：内存系统包括非易失性存储器芯片和用于在非易失性存储器芯片上执行读取操作的方法

机译：包括非易失性存储器芯片的存储器系统和用于在非易失性存储器芯片上执行读取操作的方法

机译：增强安全性的非易失性存储器芯片以及使用非易失性存储器芯片的数据安全性方法