不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

李佳霖; 陈冲; 李超; 李家雨; 王旭

首页> 中文期刊> 《经济技术协作信息》 >不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

随着科学技术的高速进步,以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功率、微波器件领域拥有越来越重要的地位.目前,由于F等离子体注入技术对提升AlGaN/GaN HEMT能够产生明显影响,因此,本文针对不同剂量氟等离子体处理对AlGaN/GaN器件的栅下横向电场分布进行了仿真模拟。

著录项

来源
《经济技术协作信息》 |2021年第14期|113-113|共1页
作者
李佳霖; 陈冲; 李超; 李家雨; 王旭;
展开▼
作者单位

吉林建筑大学;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
AlGaN/GaN; 横向电场; 微波器件; 第三代半导体材料; 等离子体处理; HEMT; 仿真模拟; 工作稳定性;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 不同剂量氟处理对GaN基器件横向电场分布的影响 [J] . 孙永达 ,徐浩然 ,张珏铭 . 经济技术协作信息 . 2020,第10期
2. 器件参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 [J] . 邓懿 ,赵德刚 ,吴亮亮 . 物理学报 . 2010,第012期
3. 氧等离子体对GaN HEMT器件的影响 [J] . 刘杰 ,杨兵 . 电子世界 . 2014,第007期
4. 不同温度下GaN基HEMT器件氢效应试验研究 [J] . 裴选 ,席善斌 ,汪鑫 . 电子质量 . 2021,第007期
5. 不同温度下GaN基HEMT器件氢效应试验研究 [J] . 裴选 ,席善斌 ,汪鑫 . 电子质量 . 2020,第012期
6. GaN基异质结器件缓冲层中极化掺杂对器件特性的影响 [C] . MA Kunhua ,马坤华 ,DU Jiangfeng . 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 . 2012
7. 等效浓度分布理论：横向功率器件新耐压机理和电场电势模型研究 [A] . 张珺 . 2018

不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅