第三代半导体GaN材料发展状况简介

李超; 陈冲; 李佳霖; 何佳旺; 李易家

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半导体材料,作为半导体技术的基础和支撑,从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。自1947年,世界上第一只半导体锗(Ge)材料晶体管的诞生到1965年半导体硅(Si)材料超越Ge材料成为半导体集成电路的主要材料,再到二十世纪七十年代以砷化镓(GaAs)材料为代表的第二代半导体材料的引入,半导体技术的发展与进步不断地引起世界各国的重视,尤其是近年来,无线通信、雷达等领域的高频率、宽带宽、大功率、高效率器件的需要,第三代半导体材料——以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),金刚石为代表的宽禁带半导体材料得到迅速的发展,得到了世界各国广泛的关注。

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来源
《经济技术协作信息》 |2021年第15期|106-106|共1页
作者
李超; 陈冲; 李佳霖; 何佳旺; 李易家;
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作者单位

吉林建筑大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
半导体集成电路; 半导体技术; 宽禁带半导体材料; 无线通信; GaN材料; 第三代半导体; 半导体科技;

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