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王丹阳1; 刘悦1; 张峰郡1; 李德才1; 陈冲1;
[1]吉林建筑大学;
半导体产品; 材料性能; GaN; 第三代; 现状; 集成电路产业; 功率器件; 人类社会;
机译:用于多光谱光电探测器的多层材料与宽带隙半导体的集成:MoS_2 / GaN和β-In_2Se_3/ GaN的情况
机译:Au / n-GaN金属半导体和Au / SiO_2 / n-GaN金属绝缘体半导体结构的电特性
机译:半导体材料半导体材料半导体材料半导体材料的事件
机译:用纳米离子胶体磁化GaN半导体在磁化GaN半导体中的传播
机译:用于节能半导体器件的Si / GaN异质结构的GaN和界面工程的表面工程
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:基于第三代半导体材料的压舒科太阳能电池
机译:用可变角度椭偏仪研究GaN和其他III族氮化物半导体材料的光学特性
机译:形成基于GaN的复合半导体的底层复合材料的方法,基于GaN的半导体发光元件以及制造基于GaN的半导体发光元件的方法
机译:用于GaN基半导体的晶体生长的多晶氮化铝基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法
机译:用于GaN基半导体的晶体生长的多晶铝氮化物基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法
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