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首页> 外文期刊>Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics >Electrical characterization of Au-GaN metal-semiconductor and Au/SiO_2-GaN metal-insulator-semiconductor structures
【24h】

Electrical characterization of Au-GaN metal-semiconductor and Au/SiO_2-GaN metal-insulator-semiconductor structures

机译：Au / n-GaN金属半导体和Au / SiO_2 / n-GaN金属绝缘体半导体结构的电特性

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In the present work, we have investigated the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/SiO_2-GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) Schottky diode and compared with Au-GaN metal-semiconductor (MS) Schottky diode. Calculations showed that the Schottky barrier height and ideality factor of the MS Schottky diode is 0.79 eV (J-V), 0.87 eV (C-V) and 1.45, respectively. It is observed that the Schottky barrier height increases to 0.86 eV (I-V), 0.99 eV (C- V) and ideality factor deceases to 1.3 for MIS diode. For the MS diode, the calculated doping concentration is 4.17 x 10~(17) cm~(-3).
机译：在本工作中，我们研究了Au / SiO_2 / n-GaN金属-绝缘体-半导体（MIS）肖特基二极管的电流-电压（IV）和电容-电压（CV）特性，并与Au / n-GaN金属进行了比较-半导体（MS）肖特基二极管。计算表明，MS肖特基二极管的肖特基势垒高度和理想因子分别为0.79 eV（J-V），0.87 eV（C-V）和1.45。可以看出，对于MIS二极管，肖特基势垒高度增加到0.86 eV（I-V），0.99 eV（C-V），并且理想因数降低到1.3。对于MS二极管，计算出的掺杂浓度为4.17 x 10〜（17）cm〜（-3）。

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