掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
数学、物理、化学、力学
>
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关外文期刊
Progress in Nuclear Magnetic Resonance Spectroscopy: An International Review Journal
Research in Number Theory
Journal of the Chilean Chemical Society
Vietnam journal of mathematics
American journal of physics
IMA Journal of Numerical Analysis
Methodology and computing in applied probability
Current Physical Chemistry
Pure Mathematical Sciences
The Open Catalysis Journal
更多>>
相关外文会议
Proceedings of the 2007 international conference on Dynamic languages
2002 3rd international symposium on electromagnetic compatibility
45th AIAA/ASME/ASCE/AHS/ASC Structures, Structural Dynamics & Materials Conference ; 12th AIAA/ASME/AHS Adaptive Structures Conference ; 6th AIAA Non-Deterministic Approaches Forum ; 5th AIAA Gossamer Spacecraft Forum
14th Annual Conference of the Computational Fluid Dynamics Society of Canada 2006
2015 IEEE International Broadband and Photonics Conference
NATO Advanced Study Institute on Computer Simulations of Surfaces and Interfaces; Sep 9-20, 2002; Albena, Bulgaria
Conference on Laser-Generated and Other Laboratory X-Ray and EUV Sources, Optics, and Applications; Aug 4-6, 2003; San Diego, California, USA
Poly-, quasi-and rank-one convexity in applied mechanics
O3A: Optics for arts, architecture, and archaeology II
Conference on Physical Chemistry of Interfaces and Nanomaterials II; Aug 6-8, 2003; San Diego, California, USA
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Fabrication of double implanted (0001) 4H-SiC MOSFETs by using pyrogenic re-oxidation annealing
机译:
通过热解再氧化退火制备双注入(0001)4H-SiC MOSFET
作者:
R. Kosugi
;
N. Kiritani
;
K. Suzuki
;
T. Yatsuo
;
K. Adachi
;
K. Fukuda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MOS;
MOSFET;
DIMOSFET;
R_(ons);
specific on-resistance;
channel mobility;
breakdown voltage;
oxidation;
pyrogenic oxidation;
re-oxidation;
2.
Initial Oxidation of 6H-SiC (0001) (3~(1/2) x 3~(1/2))-R30° and 3 x 3 Surfaces Studied by AES and RHEED
机译:
AES和RHEED研究6H-SiC(0001)(3〜(1/2)x 3〜(1/2))-R30°和3 x 3表面的初始氧化
作者:
T. Aoyama
;
W. Voegeli
;
A. Ichimiya
;
Y. Hisada
;
S. Mukainakano
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
surface;
characterization;
initial oxidation;
RHEED;
AES;
3.
Initial stages of thermal oxidation of 4H-SiC(1120) studied by photoelectron spectroscopy
机译:
光电子能谱研究4H-SiC(1120)热氧化的初始阶段
作者:
Th. Seyller
;
K.V. Emtsev
;
R. Graupner
;
L. Ley
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
oxidation;
gate dielectric;
photoelectron spectroscopy;
a-planes;
4.
Low Sheet Resistance of High-dose Aluminum Implanted 4H-SiC Using (11-20) Face
机译:
(11-20)面的高剂量铝注入4H-SiC的低薄层电阻
作者:
Y. Negoro
;
K. Katsumoto
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
;
F. Schmid
;
G. Pensl
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
(11-20);
hall effect;
ion implantation;
sheet resistance;
5.
Fast Oxidation of 4H-SiC at Room Temperature by Electrochemical Methods
机译:
电化学方法在室温下快速氧化4H-SiC
作者:
H. Mikami
;
T. Hatayama
;
H. Yano
;
Y. Uraoka
;
T. Fuyuki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
fast oxidation;
anodic oxidation;
room temperature;
XPS spectrum;
pH value;
6.
Intraband transitions in GaN/AIN quantum wells grown on sapphire (0001) and 6H-SiC substrates
机译:
在蓝宝石(0001)和6H-SiC衬底上生长的GaN / AIN量子阱中的带内跃迁
作者:
A. Helman
;
M. Tchernycheva
;
K. Moumanis
;
A. Lusson
;
E. Warde
;
F. Julien
;
E. Monroy
;
F. Fossard
;
B. Daudin
;
L. Si Dang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
group-III nitrides;
quantum wells, intersubband transitions;
7.
Interface states in abrupt SiO_2/4H- and 6H-SiC(0001) from first-principles: Effects of Si dangling bonds, C dangling bonds and C clusters
机译:
第一性原理中突然出现的SiO_2 / 4H-和6H-SiC(0001)的界面态:Si悬挂键,C悬挂键和C团簇的影响
作者:
T.Ohnuma
;
H. Tsuchida
;
T. Jikimoto
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
first-principles calculation;
SiO_2/SiC interface;
interface states;
8.
Hydrogen gas sensors using 3C-SiC/Si epitaxial layers
机译:
使用3C-SiC / Si外延层的氢气传感器
作者:
T.J. Fawcett
;
J.T. Wolan
;
R.L. Myers
;
J. Walker
;
S.E. Saddow
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
3C-SiC;
gas sensor;
hydrogen;
9.
Influence of buffer layer on DC and RF performance of 4H SiC MESFET
机译:
缓冲层对4H SiC MESFET的DC和RF性能的影响
作者:
A. V. Los
;
M. S. Mazzola
;
D. Kajfez
;
B. T. McDaniel
;
C. E. Smith
;
J. Kretchmer
;
L. B. Rowland
;
J. B. Casady
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
output characteristics;
admittance;
hysteresis;
carrier trapping;
vanadium;
equivalent circuit;
10.
Influence of H_2 pre-treatment on Ni/4H-SiC Schottky diode properties
机译:
H_2预处理对Ni / 4H-SiC肖特基二极管性能的影响
作者:
Y. Yamamoto
;
T. Hatayama
;
H. Yano
;
Y. Uraoka
;
T. Fuyuki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
H_2 annealing;
schottky diodes;
barrier height;
threshold voltage;
11.
Improved AlNi Ohmic Contacts to P-Type SiC
机译:
改进的P型SiC的AlNi欧姆接触
作者:
B.-H Tsao
;
S. Liu
;
J. Scofield
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
ohmic contact;
4H-SiC;
contact resistivity;
TLM (transmission line method);
12.
Improvements in the reverse characteristics of 4H-SIC Schottky barrier diodes by hydrogen treatments
机译:
通过氢处理改善4H-SIC肖特基势垒二极管的反向特性
作者:
Dae Hwan Kim
;
Hoon Joo Na
;
Sang Young Jung
;
In Bok Song
;
Myung Yoon Um
;
Ho Keun Song
;
Jae Kyeong Jeong
;
Jae Bin Lee
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
schottky barrier diodes;
interface state density;
leakage current;
13.
Growth of GaN films on porous 4H-SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法在多孔4H-SiC衬底上生长GaN膜
作者:
Jae Kyeong Jeong
;
Ho Kuen Song
;
Myung Yoon Urn
;
Hyun Jin Kim
;
Hui-Chan Seo
;
Hee Jin Kim
;
Euijoon Yoon
;
Cheol Seong Hwang
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
GaN;
MOCVD;
porous SiC;
14.
Growth of GaN/AIN Quantum Dots on SiC(0001) by Plasma-Assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE在SiC(0001)上生长GaN / AIN量子点
作者:
N. Gogneau
;
F. Fossard
;
E. Monroy
;
S. Monnoye
;
H. Mank
;
B. Daudin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
molecular beam epitaxy;
GaN;
N-polarity;
quantum dots;
ga surfactant effect;
15.
Growth of N-face polarity Ill-nitride heterostructures on C-face 4H-SiC by plasma-assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE在C面4H-SiC上生长N面极性III族氮化物异质结构
作者:
E. Monroy
;
E. Sarigiannidou
;
F. Fossard
;
F. Enjalbert
;
N. Gogneau
;
E. Bellet-Amalric
;
J. Brault
;
J.-L. Rouviere
;
Le Si Dang
;
S. Monnoye
;
H. Mank
;
B. Daudin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
GaN;
SiC;
porlarity;
MBE;
16.
High CW Power 0.3 μm gate AIGaN/GaN HEMTs grown by MBE on sapphire
机译:
MBE在蓝宝石上生长的高CW功率0.3μm栅极AIGaN / GaN HEMT
作者:
V. Desmaris
;
J. Eriksson
;
N. Rorsman
;
H. Zirath
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
AIGaN;
GaN;
HEMT;
HFET;
power;
17.
Growth and Field Emission of GaN Nanowires
机译:
GaN纳米线的生长和场发射
作者:
T. Y. Kim
;
S. H. Lee
;
Y. H. Mo
;
K. S. Nahm
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
GaN nanowires;
catalytic growth;
structural and electrical characterization;
18.
Hall Effect Measurements in SiC Buried-Channel MOS devices
机译:
SiC埋沟道MOS器件中的霍尔效应测量
作者:
N. S. Saks
;
S.-H. Ryu
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
MOS;
buried-channel;
Hall mobility;
inversion layer;
19.
High Frequency Measurements and Simulations of SiC MESFETs up to 250℃
机译:
高达250℃的SiC MESFET的高频测量和仿真
作者:
W. Liu
;
C.-M. Zetterling
;
M. Oestling
;
J.Eriksson
;
N. Rorsman
;
H. Zirath
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MESFETs;
self-heating;
electro-thermal simulations;
20.
High Breakdown Field P-type 3C-SiC Schottky Diodes Grown on Step-Free 4H-SiC Mesas
机译:
无级4H-SiC台面上生长的高击穿场P型3C-SiC肖特基二极管
作者:
D. J. Spry
;
A. J. Trunek
;
P. G. Neudeck
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
3C-SiC;
4H-SiC;
schottky diode;
breakdown electric field;
step-free surface;
21.
High Power 4H-SiC PiN Diodes with Minimal Forward Voltage Drift
机译:
高功率4H-SiC PiN二极管,正向电压漂移最小
作者:
M. K. Das
;
J. J. Sumakeris
;
M. J. Paisley
;
A. Powell
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
PiN diode;
junction termination extension;
forward voltage drift;
22.
High channel mobilities of MOSFETs on highly-doped 4H-SiC (11-20) face by oxidation in N_2O ambient
机译:
N_2O环境中的氧化作用在高掺杂4H-SiC(11-20)面上的MOSFET具有高沟道迁移率
作者:
Y. Kanzaki
;
H. Kinbara
;
H. Kosugi
;
J. Suda
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MOS;
MOSFET;
channel mobility;
N_2O oxidation;
(11-20);
short-channel effect;
23.
High Voltage (500V-14RV) 4H-SiC Unipolar-Bipolar Darlington Transistors for High-Power and High-Temperature Applications
机译:
适用于大功率和高温应用的高压(500V-14RV)4H-SiC单极-双极达林顿晶体管
作者:
J. H. Zhao
;
X. Li
;
K. Tone
;
P. Alexandrov
;
L. Fursin
;
J. Carter
;
M. Weiner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
unipolar switch;
vertical JFET;
darlington transistor;
24.
Modification of the Silicon Carbide by proton irradiation
机译:
质子辐照改性碳化硅
作者:
E.V.Bogdanova
;
V.V.Kozlovski
;
D.S.Rumyantsev
;
A.A.Volkova
;
A.A.Lebedev
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide 6H and 4H;
irradiation;
irradiation;
amorphization;
annealing;
blistering;
capacitance-voltage characteristics;
photoluminescence;
25.
Oxidation studies of non-polar 4H-SiC surfaces
机译:
非极性4H-SiC表面的氧化研究
作者:
C. Virojanadara
;
L. I. Johansson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide;
oxidation;
non-polar;
photoemission;
26.
Origin of Leakage Current in SiC Schottky Barrier Diodes at High Temperature
机译:
高温下SiC肖特基势垒二极管泄漏电流的起因
作者:
H. Saitoh
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
schottky barrier diode;
leakage current;
dislocation;
barrier height;
27.
Self-Aligned N+ Potysilicon-Gate GaN MOSFETs
机译:
自对准N +硅栅极GaN MOSFET
作者:
Kevin Matocha
;
T. Paul Chow
;
Ronald J. Gutmann
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
gallium nitride;
MOSFET;
self-aligned;
ion implantation;
28.
RF Performance and Reliability of SiC MESFETs on High Purity Semi-Insulating Substrates
机译:
高纯度半绝缘基板上SiC MESFET的射频性能和可靠性
作者:
S. Sriram
;
A. Ward
;
C. Janke
;
T. Alcorn
;
H. Hagleitner
;
J. Henning
;
K. Wieber
;
J. Jenny
;
J. Sumakeris
;
S. Allen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
MESFET;
trapping;
reliability;
RF power;
29.
Room Temperature Implantation and Activation Kinetics of Nitrogen and Phosphorus in 4H-SiC Crystals
机译:
4H-SiC晶体的室温注入及氮磷活化动力学
作者:
S. Blanque
;
R.Perez
;
P. Godignon
;
N. Mestres
;
E. Morvan
;
A. Kerlain
;
C. Dua
;
C. Brylinski
;
M. Zielinski
;
J. Camassel
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
room temperature implantation;
nitrogen and phosphorus activation;
raman spectroscopy;
AFM;
TLM test patterns;
30.
Reaction Bonding of Microstructured Silicon Carbide using Polymer and Silicon Thin Film
机译:
聚合物和硅薄膜对微结构碳化硅的反应键合
作者:
K.Rajanna
;
S.Tanaka
;
T.ltoh
;
M.Esashi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
reaction bonding;
microstructured silicon carbide;
reactive ion etching;
bond strength measurement;
MEMS;
31.
Schottky-Ohmic transition in nickel silicide/SiC-4H system: the effect of non uniform Schottky barrier
机译:
硅化镍/ SiC-4H体系中的肖特基-欧姆过渡:非均匀肖特基势垒的影响
作者:
F. La Via
;
F. Roccaforte
;
V. Raineri
;
M. Mauceri
;
A. Ruggiero
;
P. Musumeci
;
L. Calcagno
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
nickel silicide;
schottky;
ohmic contact;
electrical characterization;
32.
Reactive Ion Etching of Silicon Carbide with Patterned Boron Implantation
机译:
图案化硼注入对碳化硅的反应离子刻蚀
作者:
K.V. Vassilevski
;
J. Medley
;
A.B. Horsfall
;
C. M. Johnson
;
N. G. Wright
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide;
reactive ion etching;
boron implantation;
etch rate;
33.
Recent Advances in (0001) 4H-SiC MOS Device Technology
机译:
(0001)4H-SiC MOS器件技术的最新进展
作者:
M. K. Das
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MOS;
MOSFETs;
interface states;
channel mobility;
nitridation;
oxide reliability;
34.
Porous SiC for HT chemical sensing devices: an assessment of its thermal stability
机译:
用于HT化学传感设备的多孔SiC:热稳定性评估
作者:
J. Bai
;
G. Dhanaraj
;
P. Gouma
;
M. Dudley
;
M. Mynbaeva
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
porous SiC;
chemical sensor;
thermal stability;
35.
Study of TiW /Au thin films as metallization stack for high temperature and harsh environment devices on 6H Silicon Carbide
机译:
TiW / Au薄膜作为6H碳化硅高温和恶劣环境设备的金属化叠层的研究
作者:
A.Baeri
;
V.Raineri
;
F. Roccaforte
;
F.La Via
;
E. Zanetti
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
high temperature;
metallization;
harsh environment;
36.
Structural, Optical, and Electrical Properties of Bulk AIN Crystals Grown by PVT
机译:
PVT生长的大块AIN晶体的结构,光学和电学性质
作者:
M. Bickermann
;
B. M. Epelbaum
;
A. Winnacker
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
AIN single crystal;
structural quality;
Al precipitation;
optical properties;
resistivity;
37.
Structural Defects Formed in Al-implanted and Annealed 4H-SiC
机译:
铝注入退火4H-SiC中形成的结构缺陷
作者:
K.A. Jones
;
T.S. Zheleva
;
V.N. Kulkarni
;
M.H. Ervin
;
M.A. Derenge
;
R.D. Vispute
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide;
implantation;
auminum;
silicon;
defects;
38.
Simulation study of 4H-SiC Junction-gated MOSFETs from 300 K to 773 K
机译:
从300 K到773 K的4H-SiC结型栅极MOSFET的仿真研究
作者:
H.-S. Lee
;
S.-M. Koo
;
C.-M. Zetterling
;
E. Danielsson
;
M. Domeij
;
M. Oestling
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
JFETs;
MOSFETs;
high-temperature;
Ⅰ-Ⅴ characteristics;
simulation;
39.
In-situ monitoring of AIN crystal growth on 6H-SiC by the use of a pyrometer
机译:
使用高温计现场监测AIN晶体在6H-SiC上的生长
作者:
T. Suzuki
;
T. Inushima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
in-situ monitoring;
AIN;
SiC;
MOCVD;
pyrometer;
40.
Ballistic Electron Emission Microscopy Study of p-type 4H-SiC
机译:
p型4H-SiC的弹道电子发射显微镜研究
作者:
Y. Ding
;
K.-B. Park
;
J.P. Pelz
;
A.V. Los
;
M.S. Mazzola
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
schottky barrier;
ballistic electron emission microscopy;
image force lowering;
interfacial oxide layer;
fermi level pinning;
41.
BIFET - a novel bipolar SiC switch for high voltage power electronics
机译:
BIFET-用于高压电力电子设备的新型双极SiC开关
作者:
H. Mitlehner
;
P. Friedrichs
;
R. Elpelt
;
K. O. Dohnke
;
R. Schoerner
;
D. Stephani
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC switching device;
bipolar conductivity;
p - doped epitaxial layers;
cascode;
electrical characterization;
42.
Bulk SiC devices for high radiation environments
机译:
适用于高辐射环境的块状SiC器件
作者:
W. Cunningham
;
M. Cooke
;
J. Melone
;
M. Horn
;
V. Kazukauskas
;
P. Roy
;
F. Doherty
;
M. Glaser
;
J. Vaitkus
;
M. Rahman
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
radiation damage;
dry etch damage;
particle detection;
43.
Approaches to Stabilizing the Forward Voltage of Bipolar SiC Devices
机译:
稳定双极SiC器件正向电压的方法
作者:
J. J. Sumakeris
;
M. Das
;
H. McD. Hobgood
;
S. G. Mueller
;
M. J. Paisley
;
S. Ha
;
M. Skowronski
;
J. W. Palmour
;
C. H. Carter
;
Jr.
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
stacking faults;
V_f drift;
basal plane dislocations;
44.
Assessment Of 'Normally On' And 'Quasi On' SiC VJFET's In Half-Bridge Circuits
机译:
半桥电路中“正常导通”和“准导通” SiC VJFET的评估
作者:
M. S. Mazzola
;
J. B. Casady
;
N. Merrett
;
I. Sankin
;
W. Draper
;
D. Seale
;
V. Bondarenko
;
Y. Koshka
;
J. Gafford
;
R. Kelley
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
VJFET;
normally on;
quasi on;
safe operating area;
45.
930V, 170mΩ.cm~2 Lateral Two-Zone RESURF MOSFETs in 4H-SiC with NO Annealing
机译:
采用4H-SiC的930V,170mΩ.cm〜2横向两区RESURF MOSFET,无退火
作者:
W. Wang
;
S. Banerjee
;
T. P. Chow
;
R. J. Gutmann
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
RESURF;
MOSFETs;
NO annealing;
field-effect mobility;
46.
6A, 1kV 4H-SiC Normally-off Trenched-and-lmplanted Vertical JFETs
机译:
6A,1kV 4H-SiC常关沟槽和植入垂直JFET
作者:
J. H. Zhao
;
K. Tone
;
X. Li
;
P. Alexandrov
;
L. Fursin
;
M. Weiner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
VJFET;
self-alignment;
implantation;
edge termination;
47.
Advanced Processing Techniques for Silicon Carbide MEMS and NEMS
机译:
碳化硅MEMS和NEMS的先进处理技术
作者:
C. A. Zorman
;
M. Mehregany
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MEMS;
NEMS;
surface micromachining;
APCVD;
LPCVD;
poly-SiC;
3C-SiC;
48.
An ab initio study of intrinsic stacking faults in GaN
机译:
从头开始研究GaN中本征堆叠故障
作者:
H. P. Iwata
;
S. Oeberg
;
P. R. Briddon
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
GaN;
stacking faults;
first-principles calculation;
49.
Analysis for Structural Defects in the 4H-SiC Epilayers and Their Influence on Electrical Properties
机译:
4H-SiC外延层中的结构缺陷及其对电性能的影响分析
作者:
S. Izumi
;
I. Kamata
;
T. Tawara
;
H. Fujisawa
;
H. Tsuchida
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
dislocation;
stacking fault;
micropipe dissociation;
pn diode;
leakage current;
50.
4,340V, 40 mΩcm~2 Normally-off 4H-SiC VJFET
机译:
4,340V,40mΩcm〜2常关4H-SiC VJFET
作者:
J. H. Zhao
;
L. Fursin
;
P. Alexandrov
;
X. Li
;
M. Weiner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
power junction field-effect transistor;
JFET;
high voltage;
51.
4H-SiC MOSFETs with a Novel Channel Structure (Sandwiched Channel MOSFET)
机译:
具有新型沟道结构的4H-SiC MOSFET(夹心沟道MOSFET)
作者:
J. Kaido
;
T. Kimoto
;
J. Suda
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MOSFET;
SC-MOSFET;
threshold vltage;
N_2O oxidation;
effective mobility;
52.
4,308V, 20.9 mΩ·cm~2 4H-SiC MPS Diodes Based on a 30μm Drift Layer
机译:
基于30μm漂移层的4,308V,20.9mΩ·cm〜2 4H-SiC MPS二极管
作者:
J. Wu
;
L Fursin
;
Y. Li
;
P. Alexandrov
;
J. H. Zhao
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
MPS diode;
PiN diode;
schottky diode;
53.
Benefits of High-k Dielectrics in 4H-SIC Trench MOSFETs
机译:
高k电介质在4H-SIC沟道MOSFET中的优势
作者:
N.G. Wright
;
N. Poolamai
;
K.V. Vassilevski
;
A.B. Horsfall
;
C.M.Johnson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC devices;
high-k dielectrics;
54.
Comparison of the Electrical Channel Properties between Dry- and Wet-Oxidized 6H-SiC MOSFETs Investigated by Hall Effect
机译:
霍尔效应研究的干氧化和湿氧化6H-SiC MOSFET的电通道性能比较
作者:
M. Laube
;
G. Pensl
;
K. K. Lee
;
T. Ohshima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
6H-SiC MOSFET;
inversion;
hall effect;
percolation;
55.
4H-SiC Power Schottky diodes. On the way to solve size limiting issues
机译:
4H-SiC功率肖特基二极管。解决尺寸限制问题的方法
作者:
A. Syrkin
;
V. Dmitriev
;
V. Soukhoveev
;
M. Mynbaeva
;
R. Kakanakov
;
C. Hallin
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
power schottky diodes;
micropipe filling;
screw dislocations;
56.
A 500V, Very High Current Gain (p=1517) 4H-SiC Bipolar Darlington Transistor
机译:
一个500V,非常高的电流增益(p = 1517)4H-SiC双极达林顿晶体管
作者:
J. Zhang
;
P. Alexandrov
;
J. H. Zhao
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
bipolar junction transistors (BJTs);
darlington;
silicon carbide;
power transistors;
57.
A Long-Term Reliability of Thermal Oxides Grown on n-type 4H-SiC Wafer
机译:
n型4H-SiC晶片上生长的热氧化物的长期可靠性
作者:
J. Senzaki
;
M. Goto
;
K. Kojima
;
K. Yamabe
;
K. Fukuda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
thermal oxide;
MOS reliability;
dielectric breakdown;
surface morphology;
metal impurity;
58.
A High Voltage (1570V) 4H-SIC Bipolar Darlington with Current Gain β>640 and Tested in a Half-bridge Inverter up to 20A at V_(Bus)=900V
机译:
电流增益β> 640的高压(1570V)4H-SIC双极达林顿,在V_(Bus)= 900V的高达20A的半桥逆变器中测试
作者:
J. H. Zhao
;
J. Zhang
;
P. Alexandrov
;
T. Burke
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
bipolar junction transistors (BJTs);
darlington;
silicon carbide;
power transistors;
59.
Triangular Pore Formation in Highly Doped n-type 4H SiC
机译:
高掺杂n型4H SiC中的三角形孔形成
作者:
Y. Shishkin
;
W. J. Choyke
;
R. P. Devaty
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
porous;
photoelectrochemical;
etching;
60.
Current transport mechanisms in 4H-SiC pin diodes
机译:
4H-SiC PIN二极管中的电流传输机制
作者:
N.Camara
;
E.Bano
;
K.Zekentes
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
pin diode;
photoemission;
Ⅰ/Ⅴ characteristics;
61.
Theoretical investigations of the microwave characteristics of Tunnett diodes made of silicon carbide
机译:
碳化硅制成的Tunnett二极管的微波特性的理论研究
作者:
V.V. Buniatyan
;
V. M. Aroutiounian
;
K. Zekentes
;
N. Camara
;
P. Soukiassian
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
injection transit-time diode;
silicon carbide;
negative resistance;
62.
Surface Preparation of 6H-Silicon Carbide Substrates for Growth of High-Quality SiC Epilayers
机译:
用于制备高质量SiC外延层的6H-碳化硅衬底的表面制备
作者:
K. S. Lee
;
S. H. Lee
;
M. Kim
;
K. S. Nahm
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
CMP;
H_2 etching;
as-received 6H-SiC;
6H-SiC epilayers;
homoepitaxy;
CVD reactor;
63.
Young's Modulus and Residual Stress of Polycrystalline 3C-SiC Films Grown by LPCVD and Measured by the Load-Deflection Technique
机译:
LPCVD生长并通过载荷-偏转技术测量的多晶3C-SiC薄膜的杨氏模量和残余应力
作者:
X.A. Fu
;
J. Dunning
;
C.A. Zorman
;
M. Mehregany
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
LPCVD;
poly-SiC;
young's modulus;
residual stress;
bulge test;
64.
X-ray Photoelectron Spectroscopy of Nitride Layer on SiC by Thermal Nitridation Using NH_3
机译:
NH_3热氮化对SiC上氮化层的X射线光电子能谱
作者:
L. YingShen
;
S. Hashimoto
;
K. Abe
;
R. Hayashibe
;
T. Yamagami
;
M. Nakao
;
K. Kamimura
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide;
nitridation;
XPS;
65.
Visible Light Laser Irradiation: A tool for implantation damage reduction
机译:
可见光激光照射:减少植入损伤的工具
作者:
J. Camassel
;
H. Peyre
;
D.J. Brink
;
M. Zielinski
;
S. Blanque
;
N. Mestres
;
P. Godignon
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
6H-SiC;
implantation damage;
nitrogen doping;
visible light laser irradiation;
66.
The Theoretical Study on Total Power Dissipation of SiC Devices in Comparison with Si Devices
机译:
SiC器件与Si器件比较的总功耗的理论研究
作者:
K. Adachi
;
H.Ohashi
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
power electronics;
power dissipation;
4H-SiC;
Si;
uni-polar power device;
67.
SiC JMOSFETs for High-Temperature Stable Circuit Operation
机译:
SiC JMOSFET用于高温稳定电路操作
作者:
S.-M. Koo
;
C.-M. Zetterling
;
H.-S. Lee
;
M. Oestling
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
junction field effect transistors;
JMOSFET;
4H-SiC;
68.
SiC devices for high voltage high power applications
机译:
用于高压大功率应用的SiC器件
作者:
Y. Sugawara
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
pn diode;
SIJFET;
IGBT;
JGBT;
GTO;
SICGT;
SiC;
module;
inverter;
69.
The formation of low resistance Ohmic contacts to 4H-SiC, circumventing the need for post annealing, studied by specific contact resistance measurements and X-ray photoelectron spectroscopy
机译:
通过特定的接触电阻测量和X射线光电子能谱研究了与4H-SiC的低电阻欧姆接触的形成,从而避免了后退火的需要
作者:
O.J. Guy
;
G. Pope
;
I. Blackwood
;
K.S. Teng
;
W. Y. Lee
;
S.P. Wilks
;
P.A. Mawby
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
XPS;
silicon carbide;
SiC;
nickel;
silicide;
ohmic;
contacts;
70.
The Role of Carrier Lifetime in Forward Bias Degradation of 4H-SiC PiN Diodes
机译:
载流子寿命在4H-SiC PiN二极管正向偏置降解中的作用
作者:
A. Hefner
;
T. McNutt
;
D. Berning
;
R. Singh
;
A. Akuffo
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
PiN diode;
forward bias degradation;
lifetime;
stacking fault;
high voltage;
power device;
reverse recovery;
transient waveform;
end-region recombination;
parameter extraction;
71.
Investigation of SiO_2/SiC interface using positron annihilation technique
机译:
用正电子an没技术研究SiO_2 / SiC界面
作者:
M. Maekawa
;
A. Kawasuso
;
M. Yoshikawa
;
A. Ichimiya
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiO_2/SiC interface;
MOS structure;
positron beam;
doppler-shift;
open-volume defect;
72.
The Basic Parameters of Diffusion Welded Al Schottky Contacts to p- and n-SiC
机译:
Al-肖特基扩散焊接到p-和n-SiC的基本参数
作者:
O. Korolkov
;
N. Kuznetsova
;
J. Ruut
;
T. Rang
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
diffusion welding;
al p- and n-type schottky contacts;
schottky parameters;
73.
Porous Silicon Carbide as a Membrane for Implantable Biosensors
机译:
多孔碳化硅作为可植入生物传感器的膜
作者:
A.J. Rosenbloom
;
Y. Shishkin
;
D.M. Sipe
;
Y. Ke
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
porous SiC;
sensors;
biosensors;
biocompatibility;
microdialysis;
74.
Porous Structure of Anodized p-type 6H SiC
机译:
阳极氧化p型6H SiC的多孔结构
作者:
Y. Shishkin
;
Y. Ke
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
porous;
electrochemical;
etching;
p-type;
75.
P-n Junction Periphery Protection of 4H-SiC Power p-i-n Diodes Using Epitaxy and Dry Etching
机译:
利用外延和干法刻蚀对4H-SiC功率p-i-n二极管的P-n结外围进行保护
作者:
G. Sarov
;
T. Cholakova
;
R. Kakanakov
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
high voltage SiC devices;
extension of junction periphery;
edge termination;
76.
SiC donor doping by 300℃ P implantation: characterization of the doped layer properties in dependence of the post-implantation annealing temperature
机译:
300℃P注入SiC供体掺杂:取决于注入后退火温度的掺杂层特性表征
作者:
A. Poggi
;
R. Nipoti
;
F. Moscatelli
;
G. C. Cardinali
;
M. Canino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
P low temperature implantation;
annealing temperature;
doping activation;
surface damage;
diode performance;
77.
SiC-based current limiter devices
机译:
SiC基限流器
作者:
J.P. Chante
;
D. Tournier
;
D. Planson
;
C. Raynaud
;
M. Lazar
;
M.L. Locatelli
;
P. Brosselard
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide;
current limiter;
JFET;
protective devices;
high voltage;
78.
SiC Base Micro-probe for Myocardial Ischemia Monitoring
机译:
SiC基微探针,用于心肌缺血监测
作者:
J. Pascual
;
F. Valvo
;
P. Godignon
;
J. Aguilo
;
J. Millan
;
J. Camassel
;
N. Mestres
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide needles;
impedance and temperature sensors;
ischemia;
79.
Thermal Characterisation of AIGaN/GaN HEMTs using Micro-Raman Scattering Spectroscopy and Pulsed Ⅰ-Ⅴ Measurements
机译:
微拉曼散射光谱和脉冲Ⅰ-Ⅴ测量法对AIGaN / GaN HEMT的热表征
作者:
R. Aubry
;
J-C Jacquet
;
C. Dua
;
H. Gerard
;
B. Dessertenne
;
M.-A. di Forte-Poisson
;
Y. Cordier
;
S. L. Delage
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
AIGaN/GaN HEMT;
micro-raman scattering;
pulse Ⅰ-Ⅴ;
thermal measurement;
80.
Characterization of a thermal oxidation process on SiC preamorphized by Ar ion implantation
机译:
Ar离子注入预非晶化的SiC的热氧化过程的表征
作者:
A. Poggi
;
R. Nipoti
;
S. Solmi
;
M. Bersani
;
L. Vanzetti
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
amorphous SiC;
oxidation kinetics;
oxide composition;
RBS-C;
SIMS;
XPS;
81.
Characterization of 3C-SiC monocrystals using positron annihilation spectroscopy
机译:
正电子ni没光谱法表征3C-SiC单晶
作者:
X. Kerbiriou
;
A. Gredde
;
M.F. Barthe
;
P. Desgardin
;
G. Blondiaux
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
positron annihilation;
SiC;
doppler broadening;
lifetime spectroscopy;
vcacancy defects;
polishing;
82.
Challenges and First Results of SiC Schottky Diode Manufacturing using a 3 inch Technology
机译:
使用3英寸技术制造SiC肖特基二极管的挑战和初步结果
作者:
M. Treu
;
R. Rupp
;
H. Brunner
;
F. Dahlquist
;
Ch. Hecht
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
schottky diode;
manufacturing;
3 inch;
epitaxy;
defect density;
surface roughness;
83.
Control of the 2D/3D Transition of Cubic GaN/AIN Nanostructures on 3C-SiC Epilayers
机译:
3C-SiC外延层上立方GaN / AIN纳米结构的2D / 3D过渡的控制
作者:
S. Founta
;
N. Gogneau
;
E. Martinez-Guerrero
;
G. Ferro
;
Y. Monteil
;
B. Daudin
;
H. Mariette
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
PAMBE;
cubic GaN growth;
quantum dots;
ga surfactant effect;
84.
DC and RF performance of insulating gate 4H-SiC depletion mode Field Effect Transistors
机译:
绝缘栅4H-SiC耗尽型场效应晶体管的DC和RF性能
作者:
R. Jonsson
;
Q. Wahab
;
S. Rudner
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
RF power transistors;
MOSFETs;
depletion mode transistors;
85.
Defect influence on the electrical properties of 4H-SIC Schottky diodes
机译:
缺陷对4H-SIC肖特基二极管的电性能的影响
作者:
L.Scaltrito
;
E. Celasco
;
S. Porro
;
S. Ferrero
;
F.Giorgis
;
C.F.Pirri
;
D.Perrone
;
U.Meotto
;
P. Mandracci
;
G. Richieri
;
L. Merlin
;
A.Cavallini
;
A. Castaldini
;
M. Rossi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
defects;
schottky diodes;
electrical characterization;
deep level transient spectroscopy;
86.
Deep level investigation by current and capacitance transient spectroscopy in 4H-SiC MESFETs on semi-insulating substrates
机译:
在半绝缘衬底上的4H-SiC MESFET中通过电流和电容瞬态光谱进行的深层研究
作者:
M. Gassoumi
;
N. Sghaier
;
I. Dermoul
;
F. Chekir
;
H. Maaref
;
J.M. Bluet
;
G.Guillot
;
E. Morvan
;
O. Noblanc
;
C. Dua
;
C.Brylinski
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
MESFETs;
C-DLTS;
I-DLTS;
traps;
87.
Design and Implementation of the Optimized Edge Termination in 1.8 kV 4H-SiC PiN Diodes
机译:
1.8 kV 4H-SiC PiN二极管优化边缘端接的设计与实现
作者:
I. Sankin
;
W.A. Draper
;
J.N. Merrett
;
J.R.B. Casady
;
J.B. Casady
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
PiN diodes;
JTE;
edge termination;
88.
Design of 1.7 to 14kV Normally-Off Trenched and Implanted Vertical JFET in 4H-SiC
机译:
在4H-SiC中设计1.7至14kV常关开槽和注入式垂直JFET的设计
作者:
X.Li
;
J.H.Zhao
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
SiC;
vertical JFET;
numerical simulation;
89.
Diluted nitric oxide (NO) annealing of SiO_2/4H-SiC in cold-wall oxidation furnace
机译:
SiO_2 / 4H-SiC在冷壁氧化炉中的一氧化氮稀释退火
作者:
R. Kosugi
;
K. Fukuda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
nitric oxide;
NO;
MOS;
MOSFET;
oxidation;
D_(it);
interface trapped density;
channel mobility;
hot-carrier;
90.
Direct growth of high quality GaN by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy on 4H-SiC substrates
机译:
等离子体辅助分子束外延在4H-SiC衬底上直接生长高质量的GaN
作者:
F. Fossard
;
J. Brault
;
N. Gogneau
;
E. Monroy
;
F. Enjalbert
;
Le Si Dang
;
E. Bellet-Amalric
;
S. Monnoye
;
H. Mank
;
B. Daudin
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
nitrides;
epitaxy;
photoluminescence;
X-ray diffraction;
91.
Chemi-Mechanical Polishing of On-Axis Semi-Insulating SiC Substrates
机译:
同轴半绝缘SiC衬底的化学机械抛光
作者:
V.D. Heydemann
;
W.J. Everson
;
R.D. Gamble
;
D.W. Snyder
;
M. Skowronski
会议名称:
《》
|
2003年
关键词:
silicon carbide;
substrate surface preparation;
polishing;
chemi-mechanical polishing;
CMP;
surface roughness;
surface damage;
subsurface damage;
92.
Development of 3C-SiC SOI structures using Si on polycrystalline SiC wafer bonded substrates
机译:
在多晶SiC晶圆键合衬底上使用硅开发3C-SiC SOI结构
作者:
R.L. Myers
;
S.E. Saddow
;
S. Rao
;
K.D. Hobart
;
M. Fatemi
;
F.J. Kub
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
3C-SiC;
SOI;
CVD;
93.
Effect of High-Dose Aluminium Implantation on 4H-SiC Oxidation
机译:
大剂量铝注入对4H-SiC氧化的影响
作者:
L. Cheng
;
J. R .B. Casady
;
J. Mazzola
;
J. B. Casady
;
Y. Koshka
;
V. Bondarenko
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
oxidation;
high-dose implantation;
FTIR;
high-frequency C-V characteristic;
SIMS;
photoluminescence;
94.
Effects of Annealing Conditions on Resistance Lowering of High- Phosphorus-Implanted 4H-SiC
机译:
退火条件对高磷注入4H-SiC电阻降低的影响
作者:
J. Senzaki
;
K. Fukuda
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
ion implantation;
post-implantation annealing;
sheet resistance;
carrier mobility;
carrier concentration;
hall effect measurement;
95.
Electrical characterization of inhomogeneous Ni_2Si/SiC Schottky contacts
机译:
Ni_2Si / SiC肖特基非均质接触的电学表征
作者:
F. Roccaforte
;
F. La Via
;
V. Raineri
;
R. Pierobon
;
E. Zanoni
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
inhomogeneous schottky contacts;
richardson's constant;
nickel silicide;
96.
GaN laterally overgrown on sapphire by low pressure hydride vapor phase epitaxy
机译:
GaN通过低压氢化物气相外延在蓝宝石上横向过度生长
作者:
J. Napierala
;
D. Martin
;
H.-J. Buehlmann
;
S. Gradecak
;
M. llegems
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
GaN;
hydride vapor phase epitaxy;
epitaxial lateral overgrowth;
97.
Etching of SiC with fluorine ECR plasma
机译:
用氟ECR等离子体蚀刻SiC
作者:
Ch. Foerster
;
V. Cimalla
;
R. Kosiba
;
G. Ecke
;
P. Weih
;
O. Ambacher
;
J. Pezoldt
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
electron cyclotron resonance;
3C-SiC;
dry etching process;
98.
Fabrication of Suspended Nanomechanical Structures from Bulk 6H-SiC Substrates
机译:
从块状6H-SiC衬底制备悬浮的纳米机械结构
作者:
X.M.H.Huang
;
X.LFeng
;
M.K.Prakash
;
S.Kumar
;
C.A.Zorman
;
M.Mehregany
;
M.L.Roukes
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
6H-SiC;
fabrication;
nanomechanical resonators;
99.
Influence of different peripheral protections on the breakover voltage of a 4H-SiC GTO thyristor
机译:
不同外围保护对4H-SiC GTO晶闸管的击穿电压的影响
作者:
P. Brosselard
;
V. Zorngiebel
;
D. Planson
;
S. Scharnholz
;
J.-P. Chante
;
E. Spahn
;
C. Raynaud
;
M. Lazar
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
4H-SiC;
thyristor;
MESA;
JTE;
EGR;
100.
Base Current Gain of Power (1800 V, 10 A) 4H-SIC npn-BJTs
机译:
电源的基本电流增益(1800 V,10 A)4H-SIC npn-BJT
作者:
P.A. Ivanov
;
M.E. Levinshtein
;
A.K. Agarwal
;
J.W. Palmour
;
S-H. Ryu
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 pt.2(ICSCRM 2003); 20031005-20031010; Lyon; FR》
|
2003年
关键词:
silicon carbide;
bipolar junction transistor;
base current gain;
意见反馈
回到顶部
回到首页