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机译:英飞凌将DRAM沟槽技术缩减至70nm
机译:中芯国际与两家DRAM制造商合作:2003年开始生产DRAM
机译:电化学方法的实现及深沟槽DRAM纳米电子结构的分析
机译:90nm DRAM技术中深度沟槽型材表征和过程监控的一种新方法
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:努力控制全球艾滋病毒流行:应对艾滋病规划署90-90-90目标中的90年代中期挑战
机译:努力提高学生的学习成果IPA学习眼中的彻底复兴方法即将在III级学生MI MUHAMMADIYAH上印DRAM岳区
机译:20世纪90年代的农业研究和技术转让政策。 OTa对新兴农业技术评估的特别报告:20世纪90年代的问题
机译:适用于制造商SIG Arms AG(以前为SAN Swiss Arms)的SIG 550型和StGw90型自动装填步枪的弹匣适配器,其变型和许可生产的产品可以容纳STANAG兼容弹匣的.223雷明顿弹药筒和5,56x45mm
机译:在沟槽内具有pip电容器的DRAM
机译:具有具有弯曲沟道的鳍式场效应晶体管的沟槽DRAM单元和沟槽DRAM单元阵列的制造方法(CFET-弯曲FET)
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