针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

卞正达; 黄天一; 徐长福; 王若隐; 张铭

首页> 中文期刊> 《电力工程技术》 >针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

cqvip:由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究,分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因,通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化,结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡。通过多组实验进行数据曲线的拟合,确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式。

著录项

来源
《电力工程技术》 |2019年第6期|P.167-172|共6页
作者
卞正达; 黄天一; 徐长福; 王若隐; 张铭;
展开▼
作者单位

东南大学电气工程学院江苏南京210096;

国网江苏省电力有限公司电力科学研究院江苏南京211103;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM23;
关键词
SiC MOSFET; 逆变电路; 尖峰; 米勒平台; RC缓冲电路;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计 [J] . 卞正达 ,黄天一 ,徐长福 . 江苏电机工程 . 2019,第006期
2. 在单级式光伏逆变器中应用1700V碳化硅开关器件的效益研究 [J] . 王剑 ,黄海（译） . 电力电子 . 2011,第004期
3. 采用碳化硅器件的高效率光伏逆变器研究 [J] . 潘三博 ,郝夏斐 . 制造业自动化 . 2011,第008期
4. 基于碳化硅功率器件的光伏逆变电路设计 [J] . 谢芳娟 ,谭菊华 ,彭岚峰 . 电网与清洁能源 . 2016,第012期
5. 逆变器功率器件通断过程分析及其缓冲电路研究设计 [J] . 鲁军启 ,裴煜 . 电气传动 . 1994,第005期
6. 基于碳化硅SiC功率器件的并网逆变器供电电源设计 [C] . WANG CHANGGENG ,王长庚 ,XIE JINGREN . 中国电源学会第二十一届学术年会 . 2015
7. 基于碳化硅MOSFET的高频逆变器研究 [A] . 张凯歌 . 2019

针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅