基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析

王浩南; 曹玉峰; 赖耀康; 胡彩霞; 张宏宇; 王梓丞; 翟国富

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基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析

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SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点,被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况,选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析;对键合结构的选型与布局进行设计;对封装连接铜线、铜带的热影响进行分析。在封装设计基础上,通过有限元仿真对功率模块热性能进行评估。最后,搭建平台进行单路热测试。结果验证了仿真的准确性,以及封装设计的合理性。

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来源
《电器与能效管理技术》 |2022年第8期|39-43|共5页
作者
王浩南; 曹玉峰; 赖耀康; 胡彩霞; 张宏宇; 王梓丞; 翟国富;
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作者单位

哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所;

北京市科通电子继电器总厂有限公司;

北京航天自动控制研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变流器;
关键词
SiC MOSFET; 裸片封装; 热路理论; 固态功率控制器; 有限元热仿真;

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