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P.舍诺依; S.舍科哈瓦特; B.勃劳克威; 刘茵;
飞兆半导体公司,芒谭陶浦,美国,PA18707;
清华大学电力电子厂;
体二极管; 反向恢复特性; 耐用性; 超结M0SFET;
机译:具有P型肖特基二极管的SiC超结MOSFET的反向恢复特性,嵌入在排水侧,以提高可靠性
机译:具有杂连接二极管的新型4H-SiC超结Umosfet,用于增强反向恢复特性和低开关损耗
机译:采用集成的P型肖特基二极管,在4H-SiC双沟超结MOSFET中获得了改进的反向恢复特性
机译:常规和超结MOSFET体二极管的反向恢复评估
机译:横向超结功率MOSFET。
机译:具有超越1D限制的RSP-BV折衷和卓越的反向恢复特性的新型功率MOSFET
机译:异结二极管屏蔽SIC分流栅极沟槽MOSFET,具有优化的反向恢复特性和低开关损耗
机译:mOsFETs动态特性的紧凑建模
机译:通过最大程度地减少P体电荷来进行高压MOSFET二极管反向恢复
机译:通过最小化P体电荷实现高压MOSFET二极管的反向恢复
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