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测量强磁场用的磁阻变换器

         

摘要

<正> 为要在4.2~300K的温度范围内,测量强磁场用的小型变换器,曾经研究了用低溶合金InSb—NiSb制成的磁阻器的特性。此变换器灵敏度、稳定度较高,温度系数小,传递函数即磁阻比与场的关系R/R?~(B)近似直线。因此,研制了电子型导电的合金磁阻器和非合金磁阻器。前者是以不同浓度合金成分的低熔合金InSb—NiSb为基础的。在合金晶体InSb—NiSb中碲的浓度在(2~6).

著录项

  • 来源
    《电测与仪表》 |1978年第8期||共页
  • 作者

    李佐敏;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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