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安捷伦科技公司; 超高亮度; 白色InGaN; LED; 性能;
机译:三元InGaN衬底上具有InGaN / InGaN多量子阱的无磷单片白色发光二极管的设计分析
机译:具有超高亮度的颜色稳定,效率降低的滚降混合型白色有机发光二极管
机译:具有以InGaN量子阱为基础的有源区的单片白色LED,该有源区由短周期的InGaN / CaN超晶格隔开
机译:改进超高亮度白色LED
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:实现超小尺寸的直接外延方法和超高亮度InGaN微型发光二极管(μLED)
机译:通过单尺寸纳米球的随机聚类,无磷IngaN纳米玻璃白色LED
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:使用蓝光光源和荧光粉的超高亮度白色发光装置
机译:具有包含InGaN的有源区的InGaN半导体发光结构及其制造方法
机译:白色发光装置,包括该白色发光装置的白色发光面板,制造白色发光面板的方法以及包括该白色发光装置的显示装置
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