金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶的制备及性能研究

著录项

• 来源
  《电子元件与材料》 |2010年第9期|6-8|共3页
• 作者

  姚飞; 蒋洪川; 张万里; 刘兴钊; 唐磊; 于浩;

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• 作者单位

  电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

  电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

  电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

  电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

  中国燃气涡轮研究院测控室,四川,江油,621700;

  中国燃气涡轮研究院测控室,四川,江油,621700;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TP212.1;
• 关键词

  NiCr-NiSi薄膜热电偶; 静态标定; 塞贝克系数;