MoO3掺杂对BiNbO4陶瓷微波介电性能的影响

毛羽; 丁士华; 张良莹; 姚熹

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MoO3掺杂对BiNbO4陶瓷微波介电性能的影响

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摘要

采用固相反应法,研究了MoO3掺杂对BiNbO4 陶瓷微结构、烧结特性和微波介电性能的影响.对相对介电常数εr和品质因数Q随烧结温度的变化以及谐振频率温度系数随MoO3掺杂量的变化也进行了研究.MoO3的掺杂量x低于0.05时,实现了BiNbO4陶瓷在970℃以下的低温烧结,并且相转变温度也降低了约60℃.通过对εr以及介质损耗随温度的变化特性的研究,证实了缺陷偶极子对材料介电性能的影响.

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来源
《电子元件与材料》 |2005年第6期|12-14|共3页
作者
毛羽; 丁士华; 张良莹; 姚熹;
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作者单位

同济大学功能材料研究所,上海,200092;

同济大学功能材料研究所,上海,200092;

同济大学功能材料研究所,上海,200092;

同济大学功能材料研究所,上海,200092;

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正文语种 chi
中图分类电工陶瓷材料;微波元件、微波铁氧体元件;
关键词
无机非金属材料; 微波介质陶瓷; 介电性能; 掺杂; 缺陷偶极子;

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