钌酸铋,铱酸铋厚膜电阻材料

高官明; 武新荣

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当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1％;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8％。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。

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来源
《电子元件与材料》 |1989年第4期|34-37|共4页
作者
高官明; 武新荣;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类精密电阻材料;
关键词
厚膜电阻; 钌酸铋; 电阻材料; 铱酸铋;

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