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磁阻式薄膜磁头中的磁畴活动及其对读出性能的影响

         

摘要

本文从磁阻(MR)磁头的实际结构出发观察并分析了传感器高度为3-6μm(形状比大于50/1)的磁头,在反磁化过程中磁畴结构的变化过程,特别注意了传感器和引线联结处钩形畴的不可逆活动过程,并直接观察了磁畴的活动对输出信号的影响。

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