基于SiGe HBT工艺的GNSS接收机混频器设计

曾华堂; 赵红东; 申研; 王博

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基于SiGe HBT工艺的GNSS接收机混频器设计

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针对目前国内RFIC发展比较滞后的现状,设计了3款应用于GNSS接收机的基于0.5 μm SiGe HBT工艺的混频器(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ),并采用针对混频器的优良指数FOM(figure-of-merit)对这3个混频器进行结构和综合性能比较.3款混频器的供电电压为3.3 V,本振LO输入功率为-10 dBm,其消耗总电流、转换增益、噪声系数、1 dB增益压缩点依次为:Ⅰ)8.7 mA,15 dB,4.1 dB,-17 dBm;Ⅱ)8.4 mA ,10 dB,4.6 dB,-10 dBm;Ⅲ)5.4 mA,11 dB,4.9 dB,-10 dBm.而3款混频器的FOM分别为-57.8、-56.6、-54.3,表明混频器Ⅲ的综合性能最佳,混频器Ⅱ次之,最后为混频器Ⅰ.

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来源
《电子设计工程》 |2010年第3期|104-106|共3页
作者
曾华堂; 赵红东; 申研; 王博;
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作者单位

河北工业大学,信息工程学院,天津,300401;

河北工业大学,信息工程学院,天津,300401;

天津晶研科技有限公司,天津,300000;

天津晶研科技有限公司,天津,300000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变频器、混频器;
关键词
微电子学与固体电子学; 射频集成电路(RFIC); SiGe HBT; 混频器;

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