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12.5GHz基于SiGe工艺超低噪声混频器芯片设计

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本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器.通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混频器的RF、LO和IF分别为12.5GHz、11.3GHz和1.2GHz,其设计基于JAZZ 60-GHz ft SiGe BiCMOS工艺.仿真结果表明该混频器的变频增益(Gc)为7.96dB、单边带噪声系数(SSB NF)为7.35dB、输入1dB压缩点(P1dB)为-14.4dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.5dBm.3V供电电压下功耗为49.2mW.

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来源
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会》|2006年|223-226|共4页
会议地点成都
作者
汪金铭; 韩磊;
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作者单位

中国电子学会;

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类变频器、混频器;
关键词
射频集成电路; SiGe; 混频器; 低噪声; 片上系统; SOC;

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