新一代功率器件及电源管理IC的发展概况

机译：值得一提的是，新一代功率器件的SiC·氮化镓

机译：面向车载应用的新一代功率器件: 氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)

机译：功率半导体器件的发展概况II

机译：新一代薄塑料封装可为功率IC器件提供更高水平的功率和可靠性能

机译：使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器，其饱和输出功率为40 dBm。

机译：高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论

机译：使用SiC器件的高功率功率电子器件的高温功率模块技术的数值建模。

机译：siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长

机译：SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法

机译：SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法及SiC功率半导体器件的制造方法

机译：SiC外延晶片，SiC外延晶片的制造方法，SiC器件和功率转换器件