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英飞凌公司; ESD; 射频晶体管; 双极型; 性能特征;
机译:射频集成电路的静电放电保护:新的ESD设计挑战
机译:一种使用基于晶体管的分布式访问的射频内通信的新互连方法
机译:Ran NXP射频功率晶体管可在2.45GHz上超越磁控管实现高效射频能量
机译:在先进的CMOS技术中,在100 GHz射频应用中使用BIMOS晶体管进行ESD保护
机译:用于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)射频集成电路(RFIC)的低负载电容片上静电放电(ESD)保护电路。
机译:利用射频溅射制备的UV /臭氧处理改善了氧化镓/ P-EPI碳化硅静态静态晶体管的电气特性
机译:同行评论“新的玻璃射频(Centrolenidae)的”新玻璃射频“(ChocósiantíoMancuriacu储备),厄瓜多尔(v0.1)濒临灭绝(v0.1)”
机译:EsD(静电放电)/ EOs(电过载)对一类双极射频功率晶体管的敏感性:对带状线对置发射晶体管的实验研究
机译:带有用于防止静电放电的基座的MOS晶体管结构,在MOS晶体管基极上提供了ESD保护器件,并且通过ESD保护晶体管生成了晶体管配置
机译:新的多肽ESDN,生产相同方法的方法,编码ESDN的cDNA,包含cDNA的矢量,由VECTOR转化的宿主细胞,ESDN抗体,包含ESDN或抗体的药物成分,评估ESDN的方法,进行审查和检查的方法使用ESDN
机译:ESD保护的射频晶体管
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