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ESD防护晶体管及CMOS器件的ESD防护方法

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本发明提供了一种ESD防护晶体管及CMOS器件的ESD防护方法，所述ESD防护晶体管包括：衬底、形成于所述衬底上的掩埋介电层、形成于所述掩埋介电层上的表面半导体层；其中，所述表面半导体层中形成有开放数据链路接口晶体管。基于对ESD防护晶体管本身结构设计，增加晶体管本身的防护能力，从而对CMOS器件进行有效的ESD防护，避免因ESD造成CMOS器件的损坏、失效或性能降低的问题。

著录项

公开/公告号CN113394293A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14

原文格式PDF
申请/专利权人深圳市中明科技股份有限公司;
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申请/专利号CN202110618046.X
发明设计人顾大元;乔畅君;韩玲玲;孙可平;
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申请日2021-06-03
分类号H01L29/78(20060101);H01L27/02(20060101);
代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;
代理人蓝晓玉
地址 518103 广东省深圳市宝安区福永街道新田大道71-2号立新湖福宁高新产业园B栋7楼
入库时间 2023-06-19 12:33:50

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