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CMOS; ADC081000; A/D转换器; 工作原理; LVDS; CMOS; 应用;
机译:基于BiCMOS技术的基于NDR的Van der POL振荡器的应用
机译:3.5Gbps / Lane面板内接口以及基于PVT的,基于VCO的稳健的CDR,适用于采用0.18μm高压CMOS技术的UD电视应用
机译:基于0.18?m CMOS技术的基于0.4V至1.4V反相器的5位闪存ADC,用于UWB应用
机译:基于新的低阈值TFET基于NTI和PTI单元,具有标准45nm CMOS技术的三元逻辑应用
机译:基于Wilkinson Combiner方法的130nm CMOS技术中10GHz RF功率放大器设计
机译:基于180nm CMOS技术的基于MEMS的振荡器设计
机译:CMOS技术:自由形式基于电子的杀手级应用的关键推动力
机译:将集成mEms / CmOs技术应用于惯性测量单元的关键问题
机译:基于通用栅极CMOS技术和厚氧化层的基于多重时间可编程(MTP)PMOS浮栅的非易失性存储器
机译:应用高压轻掺杂漏极(LDD)CMOS技术的静电放电(ESD)保护
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