退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
无;
意法半导体公司; N沟道场效应; MOS晶体管; 开关电源; SuperFREDMesh高压工艺; 技术规格;
机译:使用Hfo_2和硅界面钝化层的自对准N沟道Gaas金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfets):金属后退火优化
机译:氧化物沟槽隔离N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的边缘晶体管消除
机译:低压互补金属氧化物半导体电路设计在正向偏置条件下的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管建模
机译:使用不同厚度的A1_2O_3作为界面钝化层的基于原子层沉积HfO_2的InP n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:溶液可加工双极性半导体聚合物的单极n沟道和p沟道有机场效应晶体管
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:基于再生和植入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制造与评价
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)
机译:通过场效应例如半导体场效应可控制半导体组件的方法续接各种类型的场效应晶体管,例如N沟道MOSFET,双扩散MOSFET(DMOSFET)等。带有通道区的半导体本体
机译:如何使用“互补金属氧化物半导体(CMOS)”或双极/ CMOS工艺制造N沟道和P沟道结型场效应晶体管和CMOS晶体管
机译:如何使用互补金属氧化物半导体或双极/ CMOS工艺制造N沟道和P沟道结型场效应晶体管和CMOS晶体管
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。