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飞兆半导体公司; IGBT模块; 关断损耗; 不间断电源; VCE; 导通损耗; UPS; 额定值; 电流;
机译:1200V IGBT模块,用于磁能再生开关(MERS)
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机译:具有低噪声特性和高dIC / dt可控性的1200V低损耗IGBT模块
机译:新型3级4合1 T型IGBT模块,具有低内部电感和优化的6.1 st sup> / 7 th sup>世代1200V / 650V芯片组,适用于UPS和PV逆变器应用
机译:新型HIV-1蛋白酶抑制剂的核心结构中间体的设计与合成,新型20S蛋白酶体抑制剂的合成,生物学活性和分子建模。
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:具有在气体分离应用中提供高选择性和渗透性的新型聚合物的合成和分析:进展报告,1986年12月20日 - 1987年12月20日
机译:新型不饱和20-异腈17(20)-甾体衍生物,其制备方法和用于制造17种羟基20-酮体的方法
机译:庆大霉素和新型抗生素本尼达达菌20-(a)和(b)菌20的混合物通过微小孢子菌紫杉20的培养物的framstelling
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