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高性能系统中存储模块的验证

         

摘要

对很多工程师来说,高速存锗模块的设计和验证已经成为一项重大的挑战。较早的存储器产品(如EDO、FPM和SDRAM)由于工作在较低的系统总线速度下,其时序上留出的裕量,足以让系统和模块设计指标有更宽的松动范围。而现在,由于存储器和I/O必须在400MHz以上的速度工作,电气指标的容许变化

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