超结结构的功率MOSFET输出电容特性

刘业瑞; 刘松

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本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态,探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中,耗尽层形态和输出电容变化的关系,最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸,更低输出电容转折点电压,降低开关损耗,同时产生非常大的du/dt和di/dt,对系统EMI产生影响.

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来源
《电子产品世界》 |2020年第8期|82-84|共3页
作者
刘业瑞; 刘松;
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作者单位

四川大学计算机学院成都 610207;

万国半导体元件(深圳)有限公司应用中心上海 200070;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
功率MOSFET; 超结结构; 输出电容; 横向电场;

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