功率MOSFET

摘要： Rohm公司的BD9S400MUF-C是用于汽车的2.7V-5.5V输入的同步降压DC/DC转换器,内置了低开态电阻的功率MOSFET,提供电流高达4A.SLLMTM控制在轻负载下有极好的效率,使得器件非常适合于降低待机功耗.由于开关频率高达2.2MHz,所以可采用小型电感.BD9S400MUF-C是电流模式控制的DC/DC转换器,具有高速瞬态响应.

摘要： Infineon公司的EVALFANXMCPFD7是100W马达驱动评估板,主要包括600V Cool MOS PFD7 SJ功率器件IPN60R2K0PFD7S和600V高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器.此外还包括基于ARM?Cortex?-M0的XMC1302-T038X0200 32位MCU,准谐振Cool SET?反激控制器ICE5QR4770AG,低压降电压稳压器IFX1763XEJV50以及P沟MOSFET BSS314PE和N沟MOSFET BSS138N.评估板EVALFANXMCPFD7采用AC输入电压,最大输出功率为100W,能驱动FOC无传感器模式的三相BLDC/PMSM马达,适合风扇和泵的应用.

摘要： 目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该类器件的产品可靠性一直备受争议,这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过位于功率MOSFET源极和漏极之间的PN二极管[1]时,晶体缺陷会扩大,这会增加导通电阻并降低器件可靠性。

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET——TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,近日开始批量出货。TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。

摘要： 变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一.现有计算开关损耗的方法在数学建模过程中需要求解微分方程组,计算过程较为复杂,不利于实际工程应用.该文提出一种简洁易用的MOSFET开关损耗简化计算方法.首先,推导出MOSFET非线性电容及跨导系数取值公式,并细化了MOSFET开关过程中的模态;然后,通过对各模态电流、电压波形进行分段线性近似处理,避免求解微分方程组,推导出相应模态的持续时间以及电流、电压的简化解析式及开关损耗计算公式;最后,通过对比计算结果和Pspice模型仿真结果,验证了该计算方法的准确性.

摘要： 本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态,探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中,耗尽层形态和输出电容变化的关系,最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸,更低输出电容转折点电压,降低开关损耗,同时产生非常大的du/dt和di/dt,对系统EMI产生影响.

摘要： 本文主要分析了功率MOSFET的输出电容和米勒电容的定义以及他们非线性特性的表现形态,探讨了影响这2个电容的相关因素,阐述了耗尽层电荷浓度非线性变化以及耗尽层厚度增加输出电容和米勒电容的非线性特性的原因.

摘要： Vishay首度推出-30Vp沟道功率MOSFET——SiRA99DP,10V条件下导通电阻降至1.7mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型6.15mm×5.15mm PowerPAK SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET—“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。

摘要： 本文提出一种由功率MOSFET漏极高压引脚直接供电的REGULATOR，即无需偏置绕组为芯片供电。该电路采用纯数字逻辑控制外接旁路电容的充放电，由外接电容为芯片供电，简单高效准确且具有较高的灵活性和稳定件。电路结构简单，在一定程度节约了版图面积。对于芯片的一般应用，节约了偏置绕组及相关元件，从而节约了成本。通过仿真结果表明芯片电源电压具有快速建立能力及较高稳定性。

摘要： 本文提出一种由功率MOSFET漏极高压引脚直接供电的REGULATOR，即无需偏置绕组为芯片供电。该电路采用纯数字逻辑控制外接旁路电容的充放电，由外接电容为芯片供电，简单高效准确且具有较高的灵活性和稳定件。电路结构简单，在一定程度节约了版图面积。对于芯片的一般应用，节约了偏置绕组及相关元件，从而节约了成本。通过仿真结果表明芯片电源电压具有快速建立能力及较高稳定性。

摘要： 本文提出一种由功率MOSFET漏极高压引脚直接供电的REGULATOR，即无需偏置绕组为芯片供电。该电路采用纯数字逻辑控制外接旁路电容的充放电，由外接电容为芯片供电，简单高效准确且具有较高的灵活性和稳定件。电路结构简单，在一定程度节约了版图面积。对于芯片的一般应用，节约了偏置绕组及相关元件，从而节约了成本。通过仿真结果表明芯片电源电压具有快速建立能力及较高稳定性。

摘要： 本文提出一种由功率MOSFET漏极高压引脚直接供电的REGULATOR，即无需偏置绕组为芯片供电。该电路采用纯数字逻辑控制外接旁路电容的充放电，由外接电容为芯片供电，简单高效准确且具有较高的灵活性和稳定件。电路结构简单，在一定程度节约了版图面积。对于芯片的一般应用，节约了偏置绕组及相关元件，从而节约了成本。通过仿真结果表明芯片电源电压具有快速建立能力及较高稳定性。

摘要： 本文提出一种由功率MOSFET漏极高压引脚直接供电的REGULATOR，即无需偏置绕组为芯片供电。该电路采用纯数字逻辑控制外接旁路电容的充放电，由外接电容为芯片供电，简单高效准确且具有较高的灵活性和稳定件。电路结构简单，在一定程度节约了版图面积。对于芯片的一般应用，节约了偏置绕组及相关元件，从而节约了成本。通过仿真结果表明芯片电源电压具有快速建立能力及较高稳定性。

摘要： 手机、数码相机、MP4播放器、蓝牙耳机等便携式电子设备供电系统与产品的重量、尺寸、工效、电池寿命等性能特征密切相关,发展单芯片开关电源,将这类供电系统微型化,越来越成为研究的热点课题.文章综述了单芯片降压型开关电源的电路拓扑结构、国内外发展现状及关键技术问题,并阐述了该领域的发展趋势.

摘要： 手机、数码相机、MP4播放器、蓝牙耳机等便携式电子设备供电系统与产品的重量、尺寸、工效、电池寿命等性能特征密切相关,发展单芯片开关电源,将这类供电系统微型化,越来越成为研究的热点课题.文章综述了单芯片降压型开关电源的电路拓扑结构、国内外发展现状及关键技术问题,并阐述了该领域的发展趋势.

摘要： 手机、数码相机、MP4播放器、蓝牙耳机等便携式电子设备供电系统与产品的重量、尺寸、工效、电池寿命等性能特征密切相关,发展单芯片开关电源,将这类供电系统微型化,越来越成为研究的热点课题.文章综述了单芯片降压型开关电源的电路拓扑结构、国内外发展现状及关键技术问题,并阐述了该领域的发展趋势.

摘要： 手机、数码相机、MP4播放器、蓝牙耳机等便携式电子设备供电系统与产品的重量、尺寸、工效、电池寿命等性能特征密切相关,发展单芯片开关电源,将这类供电系统微型化,越来越成为研究的热点课题.文章综述了单芯片降压型开关电源的电路拓扑结构、国内外发展现状及关键技术问题,并阐述了该领域的发展趋势.

摘要： 本文介绍了一种电容通过开关放电获取恒流脉冲的装置。它能为0.5 Ω的负载提供40A～100A电流，脉宽0.5μs～5μs可调，脉冲前沿小于100ns。其使用了功率MOSFET来为满足大电流、快前沿且可控的要求，并构建了两种低阻抗传输线来满足阻抗匹配。

摘要： 本发明涉及一种功率MOSFET(200、300)，具有衬底，该衬底具有衬底表面，在该衬底表面中引入沟道结构，其特征在于，第一沟道(204、304)和第二沟道(212、312)形成所述沟道结构，其方式是，第一沟道(204、304)和第二沟道(212、312)交替地布置，所述第一沟道(204、304)至少部分地填充以第一材料(206、306)并且所述第二沟道(212、312)填充以第二材料(213、313)，其中，所述第一材料(204、304)具有第一导电类型并且所述第二材料(206、306)具有第二导电类型，其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型是不同的。

摘要： 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法、SiC功率MOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在SiC衬底晶圆的表面，外延生长硅薄膜层；其中，所述硅薄膜层完全覆盖所述SiC衬底晶圆的表面；对所述硅薄膜层进行氧化，形成栅氧化层；其中，外延生长硅薄膜层时的温度以及对硅薄膜层进行氧化时的温度均低于SiC衬底晶圆直接氧化所需的温度。本发明实施例提供的技术方案，低温工艺和外延生长的硅薄膜层减少了C原子的外扩和O原子扩散进SiC中的几率，减小了SiOxCy的过渡区宽度，使得缺陷密度减小，从而减少了对载流子的散射，提高了反型沟道的迁移率，使SiC功率MOSFET器件整体性能得到提高。

摘要： 本发明涉及功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法。功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)包括在半导体衬底(100)的主表面(110)中栅极沟槽(130)中的栅极电极(132)，栅极沟槽(130)平行于主表面延伸。功率MOSFET进一步包括在主表面(110)中场板沟槽(140)中的场电极(142)，场板沟槽(140)具有在第一方向上的延伸长度，该延伸长度小于在垂直于第一方向的第二方向上的延伸长度的两倍，并且在第一方向上的延伸长度大于在第二方向上的延伸长度的一半，其中第一和第二方向平行于主表面(110)。栅极电极(132)包括栅极电极材料，栅极电极材料包括金属。

摘要： 本发明涉及制造垂直平面功率MOSFET的方法和制造沟槽栅极功率MOSFET的方法。在含有具有超结结构的漂移区的超结功率MOSFET的制造步骤中，在形成超结结构之后，典型地执行引入体区等以及与其有关的热处理。然而，在其过程中，包括在超结结构内的P型柱区等中的每一个中的掺杂剂被扩散，从而导致分散的掺杂分布。这引起诸如在漏极与源极之间施加反向偏压时的击穿电压的劣化以及导通电阻的增大之类的问题。根据本发明，在制造基于硅的垂直平面功率MOSFET的方法中，形成沟道区的体区是通过选择性外延生长来形成的。

摘要： 本发明涉及一种可堆栈式功率MOSFET、功率MOSFET堆栈及其制备工艺。本发明提出了一种薄的可堆栈式功率MOSFET及其方法。该可堆栈式垂直功率MOSFET含有带有底部漏极金属层的半导体衬底。形成在半导体衬底上方的是，带沟槽的栅极区和源极本体区。带图案的栅极金属层和源极本体金属层分别接触带沟槽的栅极区和源极本体区。提供直通衬底连接通孔(TSDV)、直通衬底栅极通孔(TSGV)、直通衬底源极通孔(TSSV)中的至少一个。穿过半导体衬底形成，并与漏极金属层相接触的导电直通衬底漏极通孔，具有顶部漏极接触垫和底部漏极接触垫，以便在上面制备顶部和底部接头。与之类似，穿过半导体衬底形成，并与栅极金属层相接触的导电直通衬底栅极通孔，具有顶部栅极接触垫和底部栅极接触垫。同样地，穿过半导体衬底形成，并与源极本体金属层相接触的导电直通衬底源极通孔，具有顶部源极接触垫和底部源极接触垫。

摘要： 本发明涉及一种功率MOSFET(200、300)，具有衬底，该衬底具有衬底表面，在该衬底表面中引入沟道结构，其特征在于，第一沟道(204、304)和第二沟道(212、312)形成所述沟道结构，其方式是，第一沟道(204、304)和第二沟道(212、312)交替地布置，所述第一沟道(204、304)至少部分地填充以第一材料(206、306)并且所述第二沟道(212、312)填充以第二材料(213、313)，其中，所述第一材料(204、304)具有第一导电类型并且所述第二材料(206、306)具有第二导电类型，其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型是不同的。

摘要： 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法、SiC功率MOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在SiC衬底晶圆的表面，外延生长硅薄膜层；其中，所述硅薄膜层完全覆盖所述SiC衬底晶圆的表面；对所述硅薄膜层进行氧化，形成栅氧化层；其中，外延生长硅薄膜层时的温度以及对硅薄膜层进行氧化时的温度均低于SiC衬底晶圆直接氧化所需的温度。本发明实施例提供的技术方案，低温工艺和外延生长的硅薄膜层减少了C原子的外扩和O原子扩散进SiC中的几率，减小了SiOxCy的过渡区宽度，使得缺陷密度减小，从而减少了对载流子的散射，提高了反型沟道的迁移率，使SiC功率MOSFET器件整体性能得到提高。

摘要： 本发明涉及功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法。功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)包括在半导体衬底(100)的主表面(110)中栅极沟槽(130)中的栅极电极(132)，栅极沟槽(130)平行于主表面延伸。功率MOSFET进一步包括在主表面(110)中场板沟槽(140)中的场电极(142)，场板沟槽(140)具有在第一方向上的延伸长度，该延伸长度小于在垂直于第一方向的第二方向上的延伸长度的两倍，并且在第一方向上的延伸长度大于在第二方向上的延伸长度的一半，其中第一和第二方向平行于主表面(110)。栅极电极(132)包括栅极电极材料，栅极电极材料包括金属。

摘要： 本发明涉及制造垂直平面功率MOSFET的方法和制造沟槽栅极功率MOSFET的方法。在含有具有超结结构的漂移区的超结功率MOSFET的制造步骤中，在形成超结结构之后，典型地执行引入体区等以及与其有关的热处理。然而，在其过程中，包括在超结结构内的P型柱区等中的每一个中的掺杂剂被扩散，从而导致分散的掺杂分布。这引起诸如在漏极与源极之间施加反向偏压时的击穿电压的劣化以及导通电阻的增大之类的问题。根据本发明，在制造基于硅的垂直平面功率MOSFET的方法中，形成沟道区的体区是通过选择性外延生长来形成的。

摘要： 本实用新型公开了一种功率MOSFET器件散热装置，包括芯片封装壳及第一散热片。芯片封装壳用于封装芯片，芯片封装壳上设有S引脚和D引脚，第一散热片内置于所述芯片封装壳内，第一散热片紧贴于芯片S极，芯片封装壳朝向第一散热片的一面上开设有第一通孔，第一散热片背向所述芯片的一面与第一通孔相对设置，使第一散热片背向芯片的一面露出成为第一露出面，第一散热片与S引脚电连接。通过设置与S引脚电连接的第一散热片，增大了S引脚与PCB板的焊接面积，降低了损耗功率，减少了热量的产生。在使用时，第一散热片露出面与PCB板紧贴固定，提高了功率MOSFET器件整体的散热效果。