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功率MOSFET和用于制造功率MOSFET的方法

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摘要

本发明涉及一种功率MOSFET(200、300)，具有衬底，该衬底具有衬底表面，在该衬底表面中引入沟道结构，其特征在于，第一沟道(204、304)和第二沟道(212、312)形成所述沟道结构，其方式是，第一沟道(204、304)和第二沟道(212、312)交替地布置，所述第一沟道(204、304)至少部分地填充以第一材料(206、306)并且所述第二沟道(212、312)填充以第二材料(213、313)，其中，所述第一材料(204、304)具有第一导电类型并且所述第二材料(206、306)具有第二导电类型，其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型是不同的。

著录项

  • 公开/公告号CN108352405B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 罗伯特·博世有限公司;

    申请/专利号CN201680063243.7

  • 发明设计人 A·格拉赫;

    申请日2016-08-29

  • 分类号H01L29/78(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人侯鸣慧

  • 地址 德国斯图加特

  • 入库时间 2022-08-23 13:11:42

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