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可堆栈式功率MOSFET、功率MOSFET堆栈及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种可堆栈式功率MOSFET、功率MOSFET堆栈及其制备工艺。本发明提出了一种薄的可堆栈式功率MOSFET及其方法。该可堆栈式垂直功率MOSFET含有带有底部漏极金属层的半导体衬底。形成在半导体衬底上方的是,带沟槽的栅极区和源极本体区。带图案的栅极金属层和源极本体金属层分别接触带沟槽的栅极区和源极本体区。提供直通衬底连接通孔(TSDV)、直通衬底栅极通孔(TSGV)、直通衬底源极通孔(TSSV)中的至少一个。穿过半导体衬底形成,并与漏极金属层相接触的导电直通衬底漏极通孔,具有顶部漏极接触垫和底部漏极接触垫,以便在上面制备顶部和底部接头。与之类似,穿过半导体衬底形成,并与栅极金属层相接触的导电直通衬底栅极通孔,具有顶部栅极接触垫和底部栅极接触垫。同样地,穿过半导体衬底形成,并与源极本体金属层相接触的导电直通衬底源极通孔,具有顶部源极接触垫和底部源极接触垫。

著录项

  • 公开/公告号CN102280478B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201110109147.0

  • 发明设计人 冯涛;

    申请日2011-04-24

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L23/48(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);H01L25/11(20060101);H01L21/50(20060101);

  • 代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张静洁;徐雯琼

  • 地址 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德公园道475号

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-03

    专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 登记号:Y2019500000007 登记生效日:20191210 出质人:重庆万国半导体科技有限公司 质权人:国家开发银行重庆市分行 发明名称:可堆栈式功率MOSFET、功率MOSFET堆栈及其制备工艺 授权公告日:20140716 申请日:20110424

    专利权质押合同登记的生效、变更及注销

  • 2016-09-21

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20160831 变更前: 变更后: 申请日:20110424

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-21

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20160831 变更前: 变更后: 申请日:20110424

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-21

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20160831 变更前: 变更后: 申请日:20110424

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-21

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20160831 变更前: 变更后: 申请日:20110424

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-07-16

    授权

    授权

  • 2014-07-16

    授权

    授权

  • 2012-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20110424

    实质审查的生效

  • 2012-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20110424

    实质审查的生效

  • 2011-12-14

    公开

    公开

  • 2011-12-14

    公开

    公开

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