栅极驱动器
栅极驱动器的相关文献在1996年到2023年内共计665篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文143篇、会议论文3篇、专利文献3122676篇;相关期刊48种,包括电源技术、变频器世界、电子元器件应用等;
相关会议3种,包括中国自动化学会自动化科学技术应用学术会议、2018中国显示学术会议 、2018中国显示学术会议 等;栅极驱动器的相关文献由784位作者贡献,包括刘翔、陈礼华、周彦等。
栅极驱动器—发文量
专利文献>
论文:3122676篇
占比:100.00%
总计:3122822篇
栅极驱动器
-研究学者
- 刘翔
- 陈礼华
- 周彦
- 孙学军
- 张世昌
- 徐帆
- 杨水涛
- 曹兆铿
- 默罕默德·胡尔希德·阿拉姆
- 蔡宗廷
- 庄铭宏
- 廖伟见
- 王建国
- 王颖
- 米克尔·霍耶尔比
- 赵晋杰
- 金泰逵
- 金馝奭
- 陈威铭
- A·J·鲁德巴里
- 常鼎国
- 杨玄
- 林志隆
- 王国荣
- 谢承志
- 邵贤杰
- 金汎俊
- 钱闯
- K·J·怀特
- M·尤斯弗波
- S·P·霍泰玲
- 任曙延
- 刘匡祥
- 卡尔·诺林
- 卢石
- 孙基民
- 尹奎汉
- 张哲嘉
- 敦栋梁
- 曾建彰
- 朴容奭
- 朴志皓
- 李宝军
- 李广圣
- 李舜燮
- 李钟赫
- 林珧
- 池惠林
- 王照
- 田立岭
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马剑豪;
余亮;
马久欣;
贺大钊;
董守龙;
姚陈果
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摘要:
全固态电感储能型脉冲形成线调制器是实现高重复频率、电压高增益和短脉冲输出的一种全新方案。但开关非理想的动态特性和传输线固定的物理空间尺寸限制,难以实现高压短脉冲的产生和调控。为解决上述难题,通过电磁场分析建立了碳化硅场效应器件开关驱动模型,发现高速驱动和开关器件低寄生参数能有效改善开关动态特性,提出了板上高速开关及驱动集成设计解决方案。基于波过程分析和多开关时序逻辑控制理论,提出多开关削波电路拓扑方法和主动负载阻抗调制技术。实验结果表明,该调制器可产生上升时间2.1 ns,下降时间3.5 ns,脉冲宽度5.1 ns的方波短脉冲,并且脉冲宽度5~20 ns连续可调。10级叠加后验证了调整器高压能力,初级储能充电电压25 V时,电压增益可达336倍,重复频率200 kHz。
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周晓飞
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摘要:
4.IGBT功率晶体管电机控制器具有内置的驱动电机控制模块,驱动电机控制模块控制和监视电驱动系统。IGBT功率模块由一个三相桥式电路组成,在IGBT中使用6个功率晶体管和6个二极管(图17)。功率晶体管是一种用于控制大功率电子电路的半导体元件。由于连接并阻挡了大量电流,会产生大量热量。因此使用冷却剂进行冷却,以减小因过热引起的部件损坏和功率损失。功率晶体管根据来自栅极驱动器的驱动信号进行操作,并从动力蓄电池向定子线圈供电或阻止其供电。
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摘要:
意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个对称的225mΩRDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品,MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题,简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。
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摘要:
ST公司的MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入的栅极驱动器的高边很容易由集成的自举二极管进行供电.MASTERGAN5在低和高驱动部分具有UVLO功能,以防止功率开关工作在低效率或危险条件,而互锁功率避免了交叉导通的出现.输入引脚的扩展范围很容易和微控制器.
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摘要:
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案,即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。
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摘要:
德州仪器(TI)日前面向汽车和工业应用推出新一代650V和600V氮化稼(GaN)场效应晶体管(FET)。与现有硅基或碳化硅解决方案相比,新的GaN FET系列采用快速切换的2.2MHz集成栅极驱动器,可提供两倍的功率密度和高达99%的效率,并将电动汽车充电器中的电源磁性器件尺寸和车载充电器尺寸分别缩小了59%和50%。
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摘要:
ST发布了市场首个也是唯一的单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓(GaN)晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管,而ST决定增加一颗GaN,实现半桥配置,并允许将MASTERGAN1用于新拓扑。在设计ACDC变换系统时,工程师可以将其用于LLC谐振变换器。新器件还将适用于其它常见的高能效和高端拓扑,例如,有源钳位反激或正激变换器,还解决了更高额定功率和图腾柱PFC的设计问题。新器件具有高度象征意义,因为它让GaN晶体管在大众化的产品中普及变得更容易。电信设备或数据中心的电源是最早使用这些功率器件的工业应用。现在有了MASTERGAN1,工程师可以设计能效更高的手机超级快充充电器、USB-PD适配器和其它电源产品。
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商俊雄
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摘要:
PWM整流器的研究始于20世纪80年代,这一时期由于自关断器件的日趋成熟及应用,推动了PWM控制技术的应用与研究。[1]随着PWM整流器技术的日趋成熟,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)得到了广泛的应用。如电力行业、地铁行业、高速铁路、矿产行业等。IGBT是一种新型的电力半导体器件,现已成为电力电子领域的新一代主流产品。[2]IGBT具有正常工作时,导通电阻低,器件的电流容量大,耐高压,驱动速度快,驱动功率低,输入阻抗高,输入电容小等特点。大功率IGBT在地铁列车上也有广泛的应用,主要用于地铁列车的辅助逆变器和牵引逆变器,实现地铁车辆三相交流380 V供电和地铁车辆牵引电机的供电。辅助逆变器和牵引逆变器的控制器输出的PWM控制信号,经过IGBT栅极驱动器功率放大后,输出给IGBT的栅极,以控制IGBT的开关动作。