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CMOS闭锁效应的几种失效及其检测

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本文叙述了闭锁效应与温度的关系，讨论了瞬态闭锁效应的临界电荷模型，分析了结尖峰引起的局部闭锁效应，介绍了双极ＭＯＳ兼容电路的闭锁效应以及相应的检测技术。

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来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |1996年第2期|23-27,30|共6页
作者
张安康;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN432.06;
关键词
闭锁效应; 临界电荷; CMOS; 失效; 检测;

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