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InP; 磷化铟; 寿命试命; AlInAs/GaInAs; HBT器件;
机译:具有高电流密度的壁架结构的高度可靠的基于InP的HBT
机译:在高电流密度下工作的InP基HBT中与发射极金属有关的降解及其对难熔金属的抑制作用
机译:在高电流密度下运行的高性能,可靠的InP / InGaAs HBT
机译:基于InP的HBT的低温,高电流寿命测试
机译:磷化铟镓/砷化镓HBT中的大信号建模和高电流效应的表征。
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:基于高速和高光电流的INP的UNI行驶载波光电二极管
机译:基于长波长Inp HBT的光接收机的制作与表征
机译:高加速寿命试验产生二次振动高加速寿命试验产生二次振动,利用便携式球和多轴滑架导轨或
机译:基于InP的HBT
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