首页> 中文期刊> 《今日电子》 >超低内阻、适用通信及工业电源的150V MOSFET

超低内阻、适用通信及工业电源的150V MOSFET

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

A0N6250是一款150VMOSFET，为众多追求极致效率的设备提供了解决方案。AoN6250适用于通信及工业电源DC／DC转换器原边开关、AC／DC及DC／DC转换器副边同步整流，太阳能微逆变器，以及通信系统中的负载点模块（POL）。

著录项

来源
《今日电子》 |2014年第2期|53-53|共1页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类通信系统（传输系统）;
关键词
通信系统; 工业电源; MOSFET; DC/DC转换器; 内阻; AC/DC; 同步整流; 逆变器;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 超低内阻、适用通信及工业电源的150V MOSFET [J] . . 今日电子 . 2013,第6期
2. 东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率 [J] . . 变频器世界 . 2022,第4期
3. IR推出150V和200V MOSFET为工业应用提供极低的闸电荷 [J] . . 工业和信息化教育 . 2009,第9期
4. 采用热增强封装的150V N沟道MOSFET [J] . . 今日电子 . 2014,第6期
5. 150V／200V MOSFET [J] . . 世界电子元器件 . 2009,第9期
6. 150V电荷耦合功率MOSFET的仿真研究 [C] . 李蕊 ,胡冬青 ,吴郁 . 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 . 2014
7. 面向超低电压射频低噪声设计的MOSFET表征方法 [A] . 刘人豪 . 2019

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号