全缓冲存储器取得进展

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全缓冲存储器取得进展

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Infineon Technologies公司(位于德国慕尼黑)的工程师成功测试了一种先进存储缓冲器(Advanced memory buffer，AMB)测试芯片，这种芯片面向采用DDR2 DRAM的下一代服务器模块。作为全缓冲双列直插式存储器模块(FB-DIMM)的核心部件，AMB有望成为服务器存储器的下一个标准。

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来源
《今日电子》 |2004年第12期|34-34|共1页
作者
JimHarrison;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类一般性问题;
关键词
缓冲存储器; AMB; DDR2; DIMM; 芯片; DRAM; 服务器; 下一代服务; Technologies公司; 测试;

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