芯片

摘要： 几年前,美国发布的一纸芯片禁令,使我们国家光刻机的发展和光刻机的制造受到了很大的损失和限制,而如今,随着我们国家科技的不断发展,使中国也掌握了一项尖端技术,它就是3D打印技术,而且据目前的情况来看,这一项3D打印技术也只有我们拥有,并且,我们国家拒绝向外出售。

摘要： 大中型水电站各种功能的接地采用联合接地方式,其接地电阻设计值取决于各种功能接地的最小值,最小值取决于二次系统二次装置内部芯片和电路板的最大绝缘耐受电压。依据相关研究二次设备(综合自动化设备内部芯片和电路板)的2s工频绝缘耐受电压为5kV。因此,大中型水力发电厂二次装置的最大绝缘耐受电压为5kV。如果大中型水力发电厂入地短路电流为I(A),其接地电阻设计值为不大于5000/I。

摘要： 自2020年底以来,全球汽车产业受到缺芯的影响已持续一年有余。从整车制造商到零部件企业,再到汽车经销商和终端消费者均未能幸免,都受到不同程度的影响。那么,汽车行业面临着的芯片短缺危机会在2022年迎来缓解甚至根本性的好转吗?A芯片短缺仍将持续芯片短缺危机已经贯穿2021年一整年,其中汽车领域受到的影响尤为明显。

摘要： 汽车芯片荒缺的是微控制器MCU芯片,并非自动驾驶芯片与电动化相比,智能化给汽车产业带来的变革有过之而无不及。尤其是高阶的自动驾驶甚至是完全的无人驾驶不仅让消费者无比神往,也让投资者趋之若鹜,更让产业人士当成彻底改变汽车生态的终极神器。但实际上,大家对于自动驾驶的态度是矛盾的、对其认知也是模糊的:一方面,既认为有趣,又担心不安全;另一方面,对其理解还存在诸多误区。

摘要： 1月18日下午,在四川省政协十二届五次会议第二次全体会议上,四川省政协委员、民建四川省委秘书长刘正方代表民建四川省委作题为《聚焦第三代半导体提升我省芯片产业核心竞争力》的大会发言。

摘要： 介绍一款自主研发的非BT型IC载板基材,并在此产品的研发、生产和应用中,设计开发出对薄型载板基材弹性模量、韧性及强度等关键性能进行评价和改善的测试方法。该产品已成功应用于储存芯片、Mini-LED芯片等领域。

摘要： 介绍了一种在微波多芯片模块中,芯片微波端口键合丝较长的情况下,如何对其进行频率拓宽的方法。针对芯片微波端口键合丝引入的失配情况进行了分析和准确的模型提取,并以此得出了一个有效的匹配电路结构(T形结)。在键合丝长度相同的情况下,此T形匹配方式将成倍提高其使用频率,改善电路性能。同时,此T形匹配结构简单,便于设计和应用。

摘要： 自2020年末以来,全球市场陷入"缺芯"危机。由于新冠肺炎疫情不断反复、各芯片主要加工厂地区频繁发生气象灾害,大量芯片制造厂商产能骤减。与此同时,经济逐步重启,市场需求进一步扩大,供需失衡使得这场全球性"芯片荒"愈演愈烈。位于芯片产业下游的高技术行业受影响严重,长期处于无"芯"可用的窘迫情况。本文针对高技术行业"缺芯"问题的现状及影响、企业采取的应对措施等展开调查分析。同时,对高技术行业投资增速下降的原因和未来投资计划进行分析。建议从加强稳定产业链发展、加大投资力度和重视人才队伍建设等多方面促进高技术行业健康发展。

摘要： 你家中一共有多少块芯片?这个问题恐怕很少有人能准确回答。在万物互联时代,衣、食、住、行等多个领域正在被物联网、人工智能等高科技包围,而高科技的实现都离不开小小的芯片。芯片又称集成电路,是绝大多数电子设备的核心组成部分,被誉为“工业粮食”。如果将海量的数据比作能源,芯片就是燃烧能源产生能量的发动机。芯片之于信息科技时代,是类似煤与石油之于工业时代的重要存在。

摘要： 兄弟阅墙,芯片遭殃:俄乌冲突或将导致芯片行业“有力无气”,国内外芯片行业将何去何从?近年来,受新冠疫情持续影响,世界范围内持续出现缺芯潮,由于供应有限导致了消费端价格上涨,严重影响了其他工业活动和供应链安全。2022年以来,随着疫情放缓和中国芯片代工厂的“补位”,芯片供应短缺问题一度有解决的趋势。但随着俄乌冲突的加剧。

摘要： 塑封的芯片封装形式由于自身的优势在军用SiP芯片领域得到广泛的使用,引线键合技术的高可靠性使得成为重要的芯片内部互联技术,军用塑封SiP芯片对于引线键合技术的可靠性也有较高的要求.本文概述了引线键合技术的原理及操作流程,在此基础上结合相应的国家军用标准总结了军用塑封SiP芯片可靠性检测试验项目,并针对引线键合技术的可靠性检测试验做了详细说明.本文对于后续军用SiP芯片引线键合技术的可靠性检测试验具有指导性意义.

摘要： 我国芯片产品近年虽然发展迅速但仍难满足我国经济社会发展的需求,尤其在军用高端核心芯片领域.由于国外对于我国高端军用芯片的封锁,军用领域大量应用进口工业级器件进行产品设计开发,制约了我国武器装备的发展.为此,本文对进口芯片的二次封装加固技术进行了探索研究.二次封装集成技术可以提高原有芯片在震动冲击、温度特性、湿热环境等严酷环境条件下的可靠性等级,实现低可靠性等级器件在恶劣环境条件下的可靠应用.本文主要针对一款处理器加FPGA的通用芯片架构进行二次封装集成,由于处理器选用国外进口工业档芯片,通过基板内埋无源器件并增加散热铜块等手段,拓展原有芯片工作温度范围达到军品应用等级,实现了核心芯片的可靠性加固.

摘要： 随着芯片工艺的飞速发展,芯片频率的提升和芯片面积的缩小,使得芯片的热流密度越来越高.由于高温是芯片失效的主要问题来源,因此良好的散热条件是高功耗芯片正常工作的必要条件.本文研究了高深宽比硅微通道热沉的散热机理,并通过理论证明及实验验证阐述了硅微通道热沉相较于传统金属热沉有极大的优势.因此,硅微通道热沉必将在未来高功耗芯片散热领域发挥重要作用.

摘要： 随着LED芯片面积和功率的进一步增大,电流密度增加,结温升高,使得LED器件寿命受到很大影响.本文选用了一种大功率芯片级封装(CSP)LED光源模组,利用水冷方式散热,并进行了光色电热性能测试.结果表明,采用水冷可使CSP LED光源模组的热阻降低至0.23°C/W的水平.在水浴温度为30°C、CSP LED光源模组输入功率为200W(相当于额定功率的2倍)时,PN结温度仅达到78°C,PN结与基板的温差仅相差10°C,且辐射效率和光效下降并不明显,证明了CSP LED能够在超过额定功率1倍的条件下长期正常工作.

摘要： 本文从方法上介绍了利用LMS Virtual.Lab进行芯片管脚级动应力分析的方法.LMS Virtual.Lab的子结构法可以有效地降低模态分析及基于模态的响应分析对计算资源的消耗.LMS Virtual.Lab通过模态参与因子来恢复子结构的应力响应,计算效率高,避免了不必要的结果输出.另外,在LMS Virtual.Lab中可以从子结构的模态空间来观察其在整体响应中的贡献,可以更加清晰地看到零部件模态、总体模态及响应之间的关系,对提供结构改进思路大有裨益.

摘要： 本文基于内聚力模型,使用有限元分析软件ANSYS对切割过程进行了模拟仿真.结果表明,内聚力(CZM)模型可以很好地模拟切割过程,切割时的最大等效应力发生在与刀尖相接处的切屑处.

摘要： 物理丌可克隆函数(PUF)因其特有的唯一性和丌可克隆性在诸多硬件安全领域有广泛应用前景,针对仲裁器PUF和环形振荡器PUF面积消耗大的弱点.本文在毛刺PUF设计架构基础上,充分利用现场可编程门阵列(FPGA)中片(Slice)内结构和片间互联矩阵特性,提出一种高资源利用率的毛刺PUF电路设计结构,将单个可编程逻辑块(CLB)输出提高至2比特.实验结果显示,利用Xilinx公司Virtex-5芯片实现128位比特输出,在保持原有的较高唯一性(49.61％)和稳定性(97.97％)的前提下,生成单位比特需要消耗的硬件资源减少了50％.

摘要： 反激式开关电源逐渐成为电子产品工作电源、辅助电源,电子设备充电器等首选电源结构,介绍了一种基于UCC28910的反激式开关电源.从硬件组成、主要器件的工作原理入手,包括：A～DC输入电路、吸收电路、UCC28910芯片、反激式变压器和输出整流部分，介绍反激武开关电源设计,着重介绍反激式开关电源工程可实现性和实际可用性.

摘要： 针对蓄电池组充放电过程中各单体间存在的电压差问题,设计了一种蓄电池均衡管理模块.均衡管理模块采用BQ76PL536芯片进行蓄电池电压采样,同时,采用开关矩阵形式进行单节电池充放电电路的切换.本文对均衡模块的拓扑结构、工作原理以及功率、控制电路进行了分析和设计,采用STM8S208RBT6单片机为控制核心,实现蓄电池单节电池电压均衡功能;模块还具备与上位机通讯的功能,可以根据上位机的命令执行操作,更加灵活方便.实验结果表明,该模块可以有效降低单体电池间的不一致性,具有良好的均衡精度,提高了蓄电池组工作的效率,并延长了其使用寿命.

摘要： 本文介绍了如何在一个由FPGA创建的PCI-EXPRESS链路上进行在线统计学眼图(误码率相对时间及电压偏移)测试方法,并设计了一个眼图测试系统,该方法可以扩展到任何链路及任何速率.随着传输速率及通道衰减的增加,链路接收端通常使能内部均衡器来补偿通道衰减.一种情况是随着传输速率的增加,在PCB上测量的接收眼图可能是完全闭合的,但是信号经过接收均衡器后眼图显示良好,此时在接收端测量的传输远端的眼图不能够准确显示出传输信号的质量,通过在线统计学眼图扫描,可以测量和显示信号经过接收均衡器之后的眼图大小,从而准确地判断实际运行系统的边界裕量,测试方法不会破坏原有系统.

摘要： 本申请公开了一种控制芯片、MCU芯片、MPU芯片及DSP芯片，该控制芯片包括处理器、定时器和GPIO接口，定时器包括滤波器，滤波器包括用于接收边沿信号的输入接口；处理器用于预设滤波器在N个事件后产生输出跳变及中断信号，且处理器还用于在接收到中断信号后执行中断处理，使GPIO接口的输出信号产生GPIO翻转。本申请的滤波器能够基于边沿信号的N个事件产生中断信号，处理器能够基于中断信号产生GPIO翻转，进而能够基于N个事件的边沿信号到GPIO翻转的时间及相应的公式计算出定时器的滤波器的采样，使定时器的定时或计时更准确。

摘要： 本发明涉及一种芯片卡模块，该芯片卡模块能够包括载体，该载体具有第一主表面和与第一主表面对置的第二主表面，其中，该载体能够具有至少一个金属化通孔。该芯片卡模块还能够包括具有多个电触点的接触域，该接触域被设置在载体的第一主表面之上，其中，多个电触点中的至少一个电触点能够与金属化通孔电连接。以及芯片，该芯片被设置在第二主表面之上，其中，该芯片借助于金属化通孔能够与多个电触点中的至少一个电触点电耦合，以及至少一个光电组件，该至少一个光电组件被设置在第二主表面之上并且与芯片导电连接。

摘要： 本发明的目的在于提供能够大量且有效地处理在芯片两面露出有检测用试样的生物芯片的生物芯片保持件和保持套装。根据本发明，能够提供生物芯片保持件，其特征在于，具备容纳生物芯片10的凹部24；和设于凹部的边缘，将容纳在凹部的生物芯片以生物芯片的背面从凹部的底面24a向上方间隔开的状态支撑为大致水平的支撑部26。

摘要： 本申请公开了一种控制芯片、MCU芯片、MPU芯片及DSP芯片，该控制芯片包括处理器、定时器和GPIO接口，定时器包括滤波器，滤波器包括用于接收边沿信号的输入接口；处理器用于预设滤波器在N个事件后产生输出跳变及中断信号，且处理器还用于在接收到中断信号后执行中断处理，使GPIO接口的输出信号产生GPIO翻转。本申请的滤波器能够基于边沿信号的N个事件产生中断信号，处理器能够基于中断信号产生GPIO翻转，进而能够基于N个事件的边沿信号到GPIO翻转的时间及相应的公式计算出定时器的滤波器的采样，使定时器的定时或计时更准确。

摘要： 本申请实施例提供了一种用于3D芯片的芯片单元、芯片组件和3D芯片，其中，芯片单元包括：衬底层；金属层，金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，金属层的第二表面设置在衬底层上；金属层穿孔组件，设置在金属层内，金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，第一导体件形成于金属层的第一表面，第二导体件形成于金属层的第二表面，导体连接孔形成于金属层内，第二导体件通过导体连接孔连接于第一导体件，以使信号能够通过衬底层传输至第一表面；衬底通孔，开设在衬底层上，连通于第二导体件。该芯片单元降低了刻蚀的工艺难度，降低了占用金属层的面积，降低了电阻寄生参数和电容寄生参数，缩短了芯片单元的制备周期，降低了生产成本。

摘要： 本发明公开了一种芯片、主控芯片、芯片通信方法、芯片阵列及相关设备，其中，本发明提供的芯片包括基于多线接口协议的配置接口从机模块；上述配置接口从机模块用于接收主控芯片发送的使能信号，并响应于上述使能信号，接收上述主控芯片发送的输入数据，其中，上述输入数据的格式为预设的通信命令格式。本发明提供的芯片作为通信中的从机，可以通过配置接口从机模块接收使能信号，并响应于上述使能信号接收主控芯片发送的输入数据，从而使得与主控芯片进行通信的过程中不必依赖于时钟产生模块生成的本地时钟，不必维持时钟产生模块常开，有利于降低芯片的功耗。

摘要： 本发明公开了一种小芯片间、芯片间、小芯片与芯片间的数据传输方法，在包含多个小芯片的系统中进行数据传输，其中第一个小芯片可以通过多个数据传输界面分别传送到另外的多个小芯片；根据目标小芯片的信息，选择所述多个数据传输界面中的具体界面，将数据信息传送到目标小芯片。本发明的架构设计可以达到性能上灵活的可扩充性，提供准确、且降低数据传递的延迟的数据传输方法。

摘要： 抑制荧光测定中的光学噪声。特征在于，荧光测定用的生物芯片(110)具备：透明基板(111)；多个微透镜(112)，它们分散形成于透明基板(111)的第1面(111a)；多个凸起部(113)，它们在透明基板(111)的第2面(111b)以与微透镜(112)一对一对应的方式形成；以及荧光测定用的位点(114)，其形成于凸起部(113)的顶部。

摘要： 芯片型电子部件配置装置(1)具备：对准构件(10)，其具有供芯片型电子部件(C)嵌入并通过的对准孔(11)，与印刷基板(B)平行配置；以及杆(41)，其按压芯片型电子部件(C)，使芯片型电子部件(C)通过对准孔(11)并载置于印刷基板(B)。对准孔(11)具有：内侧面(12)，其供芯片型电子部件(C)嵌入；以及孔斜面，其朝向内侧面(12)引导芯片型电子部件(C)。

摘要： 本实用新型提供了一种用于3D芯片的芯片模块、芯片组件和3D芯片，其中，芯片模块包括：衬底层；金属层，所述金属层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述金属层的所述第二表面设置在所述衬底层上；金属层穿孔组件，设置在所述金属层内，所述金属层穿孔组件包括：第一导体件、第二导体件和导体连接孔，所述第一导体件形成于所述金属层的第一表面，所述第二导体件形成于所述金属层的第二表面，所述导体连接孔形成于所述金属层内。该芯片模块降低了刻蚀的工艺难度，降低了占用金属层的面积，降低了电阻寄生参数和电容寄生参数，缩短了芯片模块的制备周期，降低了生产成本。