吸收电路
吸收电路的相关文献在1985年到2023年内共计460篇,主要集中在电工技术、无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文116篇、会议论文13篇、专利文献515042篇;相关期刊81种,包括电工技术学报、电源技术、电力电子技术等;
相关会议12种,包括第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛 、第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会、第五届电能质量及柔性输电技术研讨会等;吸收电路的相关文献由938位作者贡献,包括不公告发明人、寺田祐二、张迪等。
吸收电路—发文量
专利文献>
论文:515042篇
占比:99.97%
总计:515171篇
吸收电路
-研究学者
- 不公告发明人
- 寺田祐二
- 张迪
- 李佳航
- 李跃松
- 袁媛
- 王轩
- 何湘宁
- 林君
- 林新春
- 王宏颖
- 严为人
- 任善华
- 任薛蓓
- 刁利军
- 刘少伟
- 刘志军
- 刘志刚
- 叶修雷
- 唐春光
- 喻明凡
- 庞继浩
- 廖晓斌
- 景晓瑜
- 曹学磊
- 曹学良
- 朱茂峰
- 李鑫
- 杜香元
- 杨振文
- 杨武帝
- 段辉华
- 熊辉
- 王鹏程
- 秦海鸿
- 葛宏斌
- 蔡冰
- 袁蒙
- 贾红叶
- 邓占锋
- 邓卫华
- 郝敏强
- 钱照明
- 阮白水
- 陈佩忠
- 陈春欢
- 陈杰
- 陈波
- 韩天绪
- 高迎慧
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谢芳;
韦颖;
丁轲
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摘要:
设计一种基于TL431过压保护电路应用在直流风机领域,利用TL431的内部高精度基准电压和误差放大器提供稳定参考电压,控制TL431的阴极电压值,即电路中MOS管栅源电压值,从而实现输入过压时保护风机安全性,且针对风机为感性负载电流不能突变的特性,电路采用续流二极管实现MOS管断开时的风机能量吸收电路.该电路具有简单可靠、重量轻、响应速度快、效率高、电磁兼容性良好等特点.同时,通过实例分析和实验,验证了该保护电路的可行性.
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薛尧;
王琛琛;
杨晓峰;
李凯;
郑琼林
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摘要:
只有公共直流侧电容的V形钳位多电平变换器(VMC)在中压、大功率电能变换的场合具备良好的应用价值。但当VMC电平数较高时,其换流回路电感不可避免地增大,使IGBT开关器件的关断过电压问题凸显。为此,该文提出一种简单的VMC吸收电路方案。依据VMC的运行原理,将其开关器件区分为主开关器件和辅助开关器件。主开关器件动作并切换电流通路,在每一对互补的主开关器件两端添加吸收电容(构成类似半桥开关能量缓冲单元),以抑制其关断过电压。而主开关器件相对应的辅助开关器件则先开通、后关断,仅提供静态电压支撑的功能,因此无需吸收电路保护。该文以七电平VMC为例,对所提的吸收电路方案进行了分析和研究。实验结果表明,所提的VMC吸收电路方案能够显著抑制开关器件的关断电压尖峰。并且,该方案仅需少量吸收电容与主开关一起构成类似半桥开关能量缓冲单元的形式即可实现所有开关器件的关断过电压保护,其成本低、可靠性高,具有良好的工程实用性。
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张晓娟;
景博;
张劼;
王洋;
李红波
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摘要:
SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体,目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合,SiC MOSFET关断暂态带来的超调振荡影响了电源输出的稳定性和品质,并且降低了装置的可靠性。在分析SiC MOSFET开关特性及四种无源吸收电路优缺点的基础上,提出了一种针对SiC MOSFET关断暂态的RC吸收电路优化设计方案,给出了系统效率最优情况下的电路参数范围,提升了吸收电路研发的效率。最后,通过400V/20A双脉冲测试电路进行了实验验证。
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武浩;
王淑红;
曹建文;
郜瑞腾;
王一帆
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摘要:
低电压穿越能力是各国风电场并网规程对风电机组提出的最具挑战性的要求之一.风电机组在低电压穿越期间的性能和过电流的大小除了和故障的类型有关外,还和故障发生时电网电压的相位有关.为了研究和测试风电机组在最严峻的故障情况下的低电压穿越性能,研制了一种采用交流无触点开关的基于阻抗形式的电网电压不对称跌落发生器,应用电阻-电容-二极管吸收电路吸收绝缘栅双极型晶体管两端的过电压,采用改进的反正切函数准确计算电网电压相位角,采用单片机作为控制器.实验结果表明该装置能够比较准确地在电网设定相位模拟电网不对称电压跌落故障,且该装置结构简单,实现方便,制作成本相对较低,实用性较强.
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傅拾生
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摘要:
一台三星UA40C5000QR型液晶电视,通电后三无。拆机检查,发现电源板(板号:PD46AF0E-ZSM/BN44-00353A)上4只保险管正常。查待机电源,发现待机电源芯片ICB801炸裂。询问网友,得知ICB801的型号是ICE3BR1765J。接着检查芯片周边元件,特别是尖峰吸收电路中的DB803、DB805、RB804、CB811、CB809,均正常。查300V主滤波电容及5V输出电压次级电路,均正常。
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杜泽霖;
周洁敏;
洪峰;
李嘉琪
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摘要:
随着碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关速度的提高,针对SiC固态功率控制器(SSPC)在关断初期产生电压尖峰的问题,提出了一种抑制方法.首先以双脉冲测试电路为平台,利用Saber软件,探究寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响.接着在此基础上通过建立SiC SSPC开关模型并进行仿真,重点研究了线路产生的寄生电感对SiC MOSFET关断特性的影响.其次,利用电容储能、放能的方式将线路中寄生电感产生的能量先存储在电容中,再经过功率二极管将存储的能量释放给机内电源的思想,在分析其工作模态的前提下提出了基于能量吸收电路抑制关断电压尖峰的方法.最后,通过仿真分析和搭建硬件电路进行了验证.结果表明,与传统SiC SSPC相比,所提方法可有效抑制由线路寄生电感引起的关断电压尖峰.
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王毅;
於灵;
金阳
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摘要:
基于减小DC/DC变换器中电流取样信号前端电流尖峰的幅度和宽度,保证电流环闭环控制稳定性的目的 ,以反激变换器为例,通过分析主电路的工作状态,剖析了电流尖峰产生的机理,揭示了与电流尖峰幅度和宽度有关的吸收电路参数和器件参数,通过仿真设计一款反激变换器,给出工程设计吸收电路参数、整流管参数和RC滤波参数的方法.在产品设计中,应用该方法,可以获得干净的电流斜坡信号,实现电流环闭环电路的稳定.
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林为;
胡昌吉;
冯泽君;
李姗;
郑亚
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摘要:
反激电路广泛用于专业开关电源以及电气系统的辅助电源,吸收电路则是反激电源的一种常见辅助电路.简述RCD吸收电路的两种分析方法,并分析和讨论了两者的区别及存在歧义的问题,最后阐述一种实践中常用的设计方法.
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徐潘;
姚东伟
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摘要:
随着新能源汽车的发展,充电机作为联系电动汽车和电网之间的关键设备,其电磁兼容性能的优劣将会影响大充电机的正常工作和电网的稳定安全.传导干扰是电磁干扰的一种重要形式,传导干扰主要是由开关管工作过程中形成的过冲电压产生.本文主要探究通过RC吸收电路减小过冲电压,从而减小传导干扰.
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方位1
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摘要:
—台创维42K03HK型液晶电视,三无。拆机检查,发现该机电源高压一体板已被前位维修者换为KKK-50DD型电源高压一体板,该一体板实测电路如图1所示。经查,该板保险丝FI已烧断,电源芯片OB2263AP已烧坏,开关管4N60已击穿,其源极所接电阻R15(0.39fl)已开路,24V整流管DS19、DS20及开关管尖峰吸收电路中的D12(FR107)已击穿,其他元件无明显异常。
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卫思明;
张一工;
张森;
许潇
- 《第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会》
| 2015年
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摘要:
针对大功率IGBT串联应用时的动态均压问题,分析了动态不均压产生机理,对比了几种负载侧常用吸收电路,指出RCD吸收电路在大功率IGBT大规模串联的应用场合具有优势并分析其工作原理.通过计算IGBT工作过程中的电压分布和损耗,对吸收电路参数常规优化进行改进和完善,提出一种基于电压均衡度和损耗节约百分数的动态均压综合优化策略.以ABB大功率压结型IGBT(StakPak)为研究对象,在Saber仿真软件中建立器件详细模型并验证该模型准确性.建立IGBT五级串联模型,仿真试验结果表明,该综合优化策略能够将串联各器件两端动态电压波动限制在安全范围内,有效抑制动态电压不均衡问题.
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杨培和;
杨栋;
曹清
- 《第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛》
| 2016年
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摘要:
反激式开关电源逐渐成为电子产品工作电源、辅助电源,电子设备充电器等首选电源结构,介绍了一种基于UCC28910的反激式开关电源.从硬件组成、主要器件的工作原理入手,包括:A~DC输入电路、吸收电路、UCC28910芯片、反激式变压器和输出整流部分,介绍反激武开关电源设计,着重介绍反激式开关电源工程可实现性和实际可用性.
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Yang Jie;
杨杰;
Wen Jia-liang;
温家良;
Qiu Yu-feng;
邱宇峰;
Yao Tao;
药韬;
Guo Gao-peng;
郭高朋;
Chen Zhong-yuan;
陈中圆;
Wu Guang-lu;
吴广禄
- 《第五届电能质量及柔性输电技术研讨会》
| 2014年
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摘要:
随着电力电子技术的发展,电压源型换流器在电力系统中的应用越来越广泛.但是换流器的直流侧电压一般都比较高,单只IGBT的容量并不能满足电力系统的要求,常用的方式是将IGBT进行串联以提高阀的容量.在串联阀的使用过程中,需要增加额外的吸收回路,以限制各个IGBT的浪涌电压,防止IGBT的损坏.同时,吸收回路的增加也会提高IGBT阀开通过程中的电流应力,因此,本文提出一种新的吸收回路,在保证电压限制效果的同时,降低其对IGBT阀开通电流应力的影响.首先,本文对常见的用于IGBT串联的吸收回路进行了分析,在此基础上,提出一种新颖的可用于IGBT串联的吸收回路.其次,对该吸收回路的参数进行了设计.最后,在saber中搭建仿真模型,对该吸收回路进行了仿真分析,结果表明该吸收回路可以在保证电压限制效果的同时,降低其对IGBT阀开通电流应力的不利影响.
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钟云;
张建成
- 《全国电工理论与新技术学术年会》
| 2005年
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摘要:
选用Hefner等效模型带入逆变器电路中,分析IGBT在大功率变流装置中的电磁暂态过程;应用Multisim2001仿真工具,探讨IGBT的重要参数-分布电感和驱动电阻的变化对整个电路运行特性的影响,为优化设计逆变器主电路以及吸收电路提供参考依据.
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