在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的MOSFET工艺技术,使集成度提高了4倍

David Suchmann; 王正华

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@@ 分立半导体器件制造商General Semiconductor公司(位于纽约州的Melville),具有在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的专有MOSFET工艺技术.采用这种技术可以进一步缩小功率MOSFET.该项工艺技术可以使集成度提高4倍,或者可以使称为GENFET的器件缩小50%,因而它比现有的器件,更适合移动电话机,笔记本电脑,PDA,以及其它的无线电产品的应用.

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来源
《今日电子》 |2001年第9期|4-4|共1页
作者
David Suchmann; 王正华;
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1. 随着加工技术的进步,可编程逻辑集成电路在不断发展——提高了集成度,实现了结构的多样化,在芯片上嵌入了硬核 [J] . Rodney Myrvaagnes ,王正华 . 今日电子 . 1999,第001期
2. FPGA和高集成度EPLD向门阵列挑战(上)——新结构和芯片上的各种资源使FPGA突破10万门大关,向不足5万门的门阵列提出挑战 [J] . 陈森锦 ,陈晓冬 . 电子产品世界 . 1995,第10期
3. 高集成度基带芯片在数字无绳通信中的应用 [C] . 李士宁 . 第六届全国青年通信学术会议 . 1999
4. Ka波段高集成度矢量调制器芯片研制及产生涡旋电磁波阵天线设计 [A] . 俞奇 . 2016

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