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功率放大器模块; 氮化镓; 性能; ADI公司; 频率范围; 固态器件; 原型开发; 行波管;
机译:集成模块可产生高达280 W的脉冲功率-氮化镓是HF功率放大器的基础
机译:高性能光电探测器的氮化镓和氮化氮化镓和氮掺杂单层石墨烯杂化异质结构的制造
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:用于下一代通信应用的高性能宽带镓氮化镓(GaN)功率放大器
机译:用于微波功率放大器的氮化铟镓/氮化镓异质结双极晶体管的设计与制造。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:宽带0.9-2.4 GHz 25 W高效镓氮化镓射频功率放大器
机译:宽带0.25-um氮化镓(GaN)功率放大器设计。
机译:功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成,该异质结构由氮化镓制成的沟道层,覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成
机译:氮化镓/氮化铝镓半导体器件及制造氮化镓/氮化铝镓半导体器件的方法
机译:氮化镓3维(3D)结构,氮化镓3维(3D)阵列,使用具有平面表面的3维氮化镓柱结构和发光表面(LED)制造发光二极管(LED)的方法具有平面的三维氮化镓柱结构
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