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60VN通道功率FemtoFET功率晶体管

         

摘要

CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持典型的54mΩ导通电阻(Rdson),其设计与优化的目的是取代空间受限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。这种微型连接盘网格阵列(LGA)封装的焊盘间距为0.5mm,易于安装。

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