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适用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管

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该晶体管是一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，它采用新型设计结构，可满足高频应用中对晶体管需要增加击穿电压并同时避免导通电阻升高的极大挑战。它能够处理10V功率输出，这使得该晶体管能够处理用于WiMAX和其他高频应用的功率放大器的高输出要求。

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来源
《今日电子》 |2009年第2期|111-112|共2页
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN323.2;TN722.75;
关键词
高压晶体管; 功率放大器; CMOS; 逻辑; 击穿电压; 高频应用; WiMAX; 设计结构;

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