具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

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SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半，在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。该MOSFET是同时具有12V栅源电压和可在1．8V额定电压下导通的20V器件，这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，

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来源
《今日电子》 |2010年第7期|48-48|共1页
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
P沟道MOSFET; 功率MOSFET; 低导通电阻; 额定电压; 新器件; 沟道技术; 电压波动; 栅极驱动;

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