具有超低导通电阻的600V功率MOSFET

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SiHP065N60E是VishaY第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件。N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOMRII栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。

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来源
《今日电子》 |2017年第4期|66-66|共1页
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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
功率MOSFET; 低导通电阻; 栅极电荷; 优值系数; 功率转换; 第四代; 电阻比; N沟道;

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