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赵树峰; 邓光敏; 陈洪维; 宋晰; 冯雷; 程凯; 张乃千; 裴轶;
中国电子学会;
半导体场效应晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 制造工艺; 导通电阻; 漏电流;
机译:演示低漏电流,低导通电阻的600V 5.5A GaN / AlGaN HEMT
机译:通常 - 使用氢氟酸预处理的低栅极漏电流具有低栅极漏电流的AlGaN / GaN MIS-HEMT
机译:具有AlN /的高压(600V)低泄漏低电流塌陷AlGaN / GaN HEMTs $ hbox {SiN} _ {x} $ < / tex> formula>钝化
机译:IngaN / GaN / AlGaN RTD具有固有的极端低漏电流和高电流上升率
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:降低Algan / GAN HEMTS门漏电流的方法
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