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公开/公告号CN110600470A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-20
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳第三代半导体研究院;
申请/专利号CN201910776876.8
发明设计人 田朋飞;闫春辉;林润泽;方志来;张国旗;
申请日2019-08-22
分类号
代理机构北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李明
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
入库时间 2024-02-19 17:33:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/06 申请日:20190822
实质审查的生效
2019-12-20
公开
机译: 氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
机译: 以及制造键合衬底GaN薄膜的方法,其制备方法和GaN基半导体器件
机译: GaN基激光器件
机译:用于GaN基光电器件的双AlGaN / GaN分布式布拉格反射器堆叠镜的设计与制造
机译:具有低温GaN盖层的AlGaN / GaN基电子器件
机译:通过仿真结果验证了适用于GaN / InGaN基器件和IC的ESD保护应用的高压InGaN / GaN / AlGaN RTD
机译:GaN基传感器和高频电力电子的器件技术和集成。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:用于传感器器件的AlGaN / GaN系统的表面和异质界面的控制及其在纳米结构上的片上集成
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。