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一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法

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本发明提供一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaN HEMT外延片；S2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器台面结构、AlGaN/GaN HEMT转移区、及AlGaN/GaN HEMT台面结构；S3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一AlGaN/GaN HEMT外延片的第一衬底，获得第二AlGaN/GaN HEMT外延片；S4：将所述第二AlGaN/GaN HEMT外延片转移至第二衬底，获得第三AlGaN/GaN HEMT外延片；S5：通过粘附材料键合第三AlGaN/GaN HEMT外延片与GaN基激光器；S6：制备钝化层及电极。本发明避免原有制备方法的隔离性差、安全性低的技术问题，实现了器件系统安全性高、耐高频、耐高压、易批量生产的技术效果。

著录项

公开/公告号CN110600470B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人深圳第三代半导体研究院;
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申请/专利号CN201910776876.8
发明设计人田朋飞;闫春辉;林润泽;方志来;张国旗;
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申请日2019-08-22
分类号H01L27/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/778(20060101);H01S5/34(20060101);H01S5/343(20060101);
代理机构11888 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人彭随丽
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
入库时间 2022-08-23 12:38:59

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