具有AlGaN/GaN超晶格的GaN基LED的PL分析

丁娟; 王丹丹; 韩孟序

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主要分析了具有p-ALGaN/GaN超晶格的360 nmGaN基LED的光学性能.插入的p-ALGaN/GaN超晶格结构可以看做是提高空穴注入的空穴限制层.经过PL测试发现,PL谱出现了明显的双峰以及蓝带发光,前者是由插入的超晶格引起,而蓝带荧光则是由超晶格中深能级N空住与Mg浅受主能级之前的辐射跃迁引起的.

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来源
《电子科技》 |2015年第2期|62-64|共3页
作者
丁娟; 王丹丹; 韩孟序;
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作者单位

西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,陕西西安710071;

西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,陕西西安710071;

西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,陕西西安710071;

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正文语种 chi
中图分类紫外技术及仪器;
关键词
AlGaN/GaN超晶格; LED; GaN; PL;

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