增强型AlGaN/GaN HEMT势垒层优化设计

雷亮; 郭伟玲; 都帅; 吴月芳

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增强型AlGaN/GaN HEMT势垒层优化设计

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为研究AlxGa1-xN势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN缓冲层的P-GaN栅增强型AlGaN/GaN HEMT的基本结构,提取了器件势垒层厚度和Al组分渐变时的电学特性,仿真结果得出器件的势垒层厚度范围为取15～20 nm,Al组分范围取0.2 ～0.25时器件特性最优.

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来源
《电子科技》 |2018年第8期|52-55|共4页
作者
雷亮; 郭伟玲; 都帅; 吴月芳;
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作者单位

北京工业大学信息学部,北京100124;

北京工业大学信息学部,北京100124;

北京工业大学信息学部,北京100124;

北京工业大学信息学部,北京100124;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
P-GaN栅; 增强型AlGaN/GaN HEMT器件; 势垒层厚度; Al组分;

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