PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响

李磊; 余远根; 姜涛; 祝元坤; 王现英; 郑学军

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PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响

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采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Si衬底上制备了PbTiO3 (PT)薄膜和Pb(Zrx,Ti1-x)O3 (PZT)薄膜,研究了退火温度以及PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响.X射线衍射(XRD)结果表明,制备的PZT薄膜为纯钙钛矿结构的多晶薄膜,有PT种子层的PZT薄膜晶粒尺寸更大,(110)面取向度更高,结晶性能更好;原子力显微镜(AFM)结果表明,制备的薄膜表面形貌比较平整、均匀、无裂纹;压电力显微镜(PFM)结果表明,压电力显微镜(PFM)结果表明,有PT种子层时,PZT薄膜的平均压电系数d33为128 ～237 pm/V,无PT种子层时平均压电系数d33为21～29 pm/V.在升温速率为10℃/s的退火条件下保温10 min时,随着退火温度的升高,PZT薄膜晶粒尺寸增大,粗糙度增大,(110)面取向度升高,平均压电系数d33增大.PT种子层能够有效的改善PZT薄膜的结晶性能和压电性能.

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来源
《电子科技》 |2016年第4期|1-5|共5页
作者
李磊; 余远根; 姜涛; 祝元坤; 王现英; 郑学军;
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作者单位

上海理工大学机械工程学院,上海200093;

上海理工大学机械工程学院,上海200093;

上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093;

上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093;

上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093;

上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
溶胶-凝胶法; PZT薄膜; 退火温度; 钙钛矿结构; PT种子层; 压电系数;

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